三星量產10nm級別工藝筆記本DDR4內存，單條可達32GB、2666MHz

今日三星在官網宣布量產10nm工藝內存顆粒的SO-DIMM規格DDR4內存，單條最大32GB，頻率最高可達2666MHz，同時運行功耗將可以下降39%之多。

今日三星在官網宣布量產10nm級別工藝內存顆粒的SO-DIMM規格DDR4內存，單條最大32GB，頻率最高可達2666MHz，同時運行功耗將可以下降39%之多。

以往在SO-DIMM上實現32GB內存十分費勁，比方說之前的芝奇推出的Ripjaws 3800MHz DDR4內存就是用的三星高端B-die 內存顆粒，但是需要用到四條8GB才能組成總容量32GB。而這一次三星依靠在存儲顆粒上的優勢，量產出10nm級別單顆粒16Gb（2GB）的內存IC（當然了，這個10nm是三星自己的統稱，可能是1xnm，但到不了10nm），最後可以製作出單條32GB的SO-DIMM內存。而且頻率進一步提升至2666MHz水平，剛好與現在的高端第八代酷睿處理器相匹配，同時得益於先進納米工藝的更低漏電率，其功耗從7.4W下降至4.5W，幅度達到39%之多，這個也為增加筆記本續航時間+1s。

三星表示，推出高容量高規格的SO-DIMM規格內存可以幫助筆記本廠商組建性能更強遊戲筆記本，同時自身還會進一步擴展10nm工藝在存儲領域的利用，未來還將會推出10nm級別的LPDDR4、GDDR5、DDR4內存顆粒。

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