英特爾、美光64層QLC 3D NAND備受關注，激化原廠爭奪96層3D NAND技術高點？
上周，美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND，由於採用的QLC（4bits/cell）架構相較於TLC（3bits/cell）容量更大，使得單顆Die容量可高達1Tb，備受市場高度關注，同時恐激化各家原廠展開96層3D NAND技術競爭，然而市場更多的是關心NAND Flash價格走向將如何。
由於QLC高密度優勢，再加上各家原廠非常看好SSD市場發展前景，所以會優先用於SSD產品上，所以對SSD市場有一定的影響。
據中國快閃記憶體市場ChinaFlashMarket本周（5月29日）報價，SSD 120GB價格下滑至26.5美金，2018年累計下滑17%；240GB價格維持在44美金，2018年已累計下滑27%，且已跌回2016年歷史低點；480GB價格則由130美金下滑至84美金，累計下滑35%。
本周（5月29日）SSD報價
在2016年和2017年NAND Flash漲價之後，經過近一年的價格調整，截止到2018年5底NAND Flash基本已回到2016下半年的價格水平，而在原廠64層3D NAND擴大應用，以及新建Fab工廠等消息的刺激下，NAND Flash價格恐還會進一步下滑。
在NAND Flash跌價的行情下，擁有成本優勢是在市場上競爭的關鍵，據DIGITIMES消息，傳三星除了擴大64層3D NAND生產比重，還將於2018年搶先量產96層3D NAND，並將於韓國華城、平澤廠量產，並投入128層3D NAND研發。但也有相關人士表示，由於96層3D NAND技術難度相對較大，或以92層作為過渡技術。
東芝與西部數據(WD)曾宣布96層3D NAND已完成研發，並屢次擴大Fab6工廠的投資金額，其製造設備投資就是用於96層3D NAND量產而準備，再加上Fab6二期和Fab7工廠的建設動作，以及三星西安廠二期開始新建，三星與東芝的NAND Flash霸主之爭即將拉開序幕。
英特爾和美光除了推出64層QLC提高技術優勢，曾表示第三代3D NAND技術（96層）的開發將於2018年年底或2019年初交付，預計英特爾和美光96層3D NAND可在2019下半年實現量產。
至於SK海力士目前NAND Flash技術沒有明確的消息，但在三星、東芝、美光、英特爾積極投入96層3D NAND技術競爭中，相信SK海力士在2018年也會積極進行96層3D NAND的研發工作，若順利也有望在2019年投入量產。
隨著各家原廠3D NAND技術的發展，尤其是未來96層3D NAND的面世，預計NAND Flash市場供應量將大幅增加，同時NAND Flash每GB的成本也會降低。不過，高端智能型手機容量需求正在向128GB以上升級，而且數據中心、伺服器領域SSD，以及消費類SSD市場需求也正在不斷增加，未來NAND Flash市場將呈現健康發展的趨勢，市場可期。
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