三星宣布推出10nm級DDR4 SoDIMM內存

三星宣布推出基於10nm級（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM內存模組，用於高性能筆記本產品。新的內存模組容量達到32GB單條，頻率2666MHz，結構上是由16個16Gb DDR4 DRAM晶元組成。三星稱，新品取代的是2014年推出的20nm級16GB SoDIMM模組，後者的單晶元容量是8Gb。

當然，換用更先進的製造工藝和採用更高容量後，不僅功耗減少39%，速度也快了11%。

按照三星的官方數據，配備2x32GB新內存的遊戲本，活動功耗會低於4.6瓦，空閑功耗會低於1.4瓦。

目前，三星的10nm工藝級的DRAM產品已經涵蓋最大容量16Gb的LPDDR4內存、GDDR5顯存和DDR4內存等。

來源：快科技

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