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碳醯氟的研究進展

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特氣

摘要:碳醯氟是一種環保性能優良、最具潛力的半導體設備清洗和蝕刻材料。作為電子氣體的新寵,其製備方法、反應設備、純化技術、應用研究等被業界廣泛關注。

關鍵詞:碳醯氟;製備技術;反應設備;純化技術;應用研究;專利分析

碳醯氟是一種有刺激性、非易燃無色有毒的氣[1]。作為新一代工業半導體設備的清洗和蝕刻材料,碳醯氟具有極低的全球變暖潛能值(GWP≈1),極低的破壞臭氧層潛能值(ODP=0),極低的大氣壽命(<1a),是一種環境友好型電子氣體[2]。碳醯氟在工藝性能、環保性能、尾氣處理及碳排放費用方面比三氟化氮均有一定優勢。日本產業技術研究所新能源產業技術綜合研發機構、地球環境產業技術研究機構對碳醯氟的物化性質、使用性能和生物活性進行了近十年的研究,確認碳醯氟為三氟化氮等氣體的有力替代產品。

碳醯氟作為環境友好型氣體,國內外許多研究機構都在進行製備和純化的技術研究。碳醯氟的製備和純化技術是目前工藝技術是目前工藝技術需要攻克的難點。碳醯氟作為有機合成中醯氟基或氟氧基的引入給很多新產品的合成提供新的方法。

1碳醯氟的製備技術及專利分析

碳醯氟製備的研究路線據目前發表的文獻和公開的專利分析,按原料不同可分為以下幾種:以一氧化碳和氟氣氣相[3],或液相反應法[4];以光氣為原料的氟化法[5];以三氟甲烷或氯二氟甲烷為原料的光氧化法[6];全氟烷基碘與氧氣反應法[7];四氟乙烯氧氣氧化法。

從表1各工藝技術路線比較,認為TFE氧氣氧化法是當前可工業化、成本低、產品易分離的工藝路線。

當前以TFE氧氣氧化法合成碳醯氟的有效專利共計3篇,分別為:1.CN101272983B;2.CN102815686B;3.RU2167812C2。

其中CN101272983B同族專利數量10項,申請了世界專利,申請日期為2006年9月26日,公開(公告)號WO2007037468A1,分別在中國、日本、韓國、美國進行了專利申請。專利CN102815686B同族專利數量4項,分別在中國和日本進行了專利申請,申請日期2012你那5月25日。專利RU2167812C2隻在俄羅斯進行了申請並獲得授權,2019年7月份專利將到期。

1.CN101272983B[8](專利名稱:碳醯氟的製造方法;權利人:獨立行政法人產業技術綜合研究所;法律狀態:授權)

本發明提供了不使用光氣等毒性強的和難以得到的原料,可以更低廉、有效,且沒有爆炸等危險、安全連續地製造COF2的方法。反應方程式如下:

CHCLF2→ C2F4+ HCL (1-1)

C2F4+ O2→ COF2(1-2)

向反應容器內導入四氟乙烯混合氣體和氧氣,在不存在氮氣的情況下,氣相加熱反應製造碳醯氟。反應容器優先選管狀的反應管。四氟乙烯氣體可以使用加熱HCFC-22氣體熱分解而得到未精製或經精製的四氟乙烯氣體。通過本發明可以低廉、有效且安全地製造用作CVD裝置(化學氣相蒸鍍法)的清洗氣。

2.CN102815686B[9](專利名稱:碳醯氟的製造方法;權利人:大金工業株式會社;法律狀態:授權)

四氟乙烯與氧氣反應得到碳醯氟有爆炸的危險性,需要尋求不僅能夠確保安全性,而且能夠有效地製造碳醯氟的方法。本發明的目的在於提供一種碳醯氟的製造方法,能夠使四氟乙烯與氧氣安全且有效地反應得到碳醯氟。

為了實現上述過程,四氟乙烯和相對於四氟乙烯為8倍摩爾以上的空氣存在下,通入加熱反應器使四氟乙烯與氧氣進行反應得到碳醯氟。由於混合氣組成超出四氟乙烯的爆炸極限,反應得以安全穩定的進行。

3.RU2167812C2[10](專利名稱:Methodand reactor for producing carbonyl fluoride;權利人:Oao"Kirovo-chepetskijKhimicheskijKombinatiment B.P.Konstantinova";)

本發明以純的四氟乙烯為原料,在特殊設計的反應器內於氧氣反應產生碳醯氟。特殊設計的反應器避免了四氟乙烯與氧氣混合物爆炸的風險,能夠穩定產生純度較高的碳醯氟粗品。

2碳醯氟反應設備及專利分析

一氧化碳與氟氣反應可分為氣相反應和液相反應。楊曉勇等對一氧化碳氣相氟化反應發明了一種改進型管式反應器[11]。其反應器結構如下。

蔣玉貴等發明了一種碳醯氟的製備方法專利,其專利涉及到一下兩點:以一氧化碳和氟化物反應,在反應中使用了稀釋劑。專利中提到了反應設備,其設備的構思與楊國威發明的設備基本類似。

從設備的開發和工藝來看,採用管式反應器進行一氧化碳的氟化反應是可行的。一氧化碳與氟氣在管式反應器底部接觸反應,反應後放出大量的熱,採用夾套冷卻的方式進行換熱。張懷等人《碳醯氟的製備研究進展》提到碳醯氟在300℃會分解成四氟化碳和二氧化碳。反應放出的熱量如果不能被有效移出,副產物會增加,分離純化難度會增加。

在一氧化碳與氟氣的液相反應中,採用釜式反應器。為了解決反應放熱問題,在釜式反應器中需要加入含氟烷烴和全氟醚,此類物質不與氟氣反應,且導熱性能較好。

蔣玉貴等在反應中使用稀釋氣體,解決了一氧化碳與氟氣反應的安全性問題,更好的控制反應熱並降低副反應的發生。YuukiMitsui等採用的液相反應法也同樣提到用液體溶劑移出反應熱。

四氟乙烯氧氣氧化法製備碳醯氟採用的設備是管式反應器。中谷英樹等發明的專利中提到四氟乙烯與相對於其8倍摩爾以上的空氣存在下,在272℃以上可安全有效的得到碳醯氟。

權恆道等發明中四氟乙烯氣體使用加熱HCFC-22氣體熱分解而得到未精製或靜置的四氟乙烯氣體與氧氣,在不存在氮氣的情況下,氣相加熱反應製造碳醯氟。

在使用管式反應器進行的以四氟乙烯為原料的氧化反應,為了降低四氟乙烯與氧氣反應的爆炸風險,各研究機構均採用對四氟乙烯稀釋的辦法降低風險。

王博等發明了一種以全氟烷基碘為原料經氧氣氧化合成碳醯氟的裝置。所述的加熱反應管成螺旋狀並置於管式爐中;所述的加熱反應管的入口端以及出口端分別固定有加熱帶;所述的產品收集瓶置於冷阱中。加熱反應管成螺旋狀,並且放置與管式爐中,螺旋狀的設置增大反應氣體的體積;同時在加熱反應管的進口端和出口端分別設置蛇形纏繞的加熱帶可以防止全氟烷基碘冷凝後堵塞管路。

反應裝置簡圖如圖

螺旋狀反應管可增大反應氣體的體積,同時增加了反應的接觸時間,更利於反應轉化率的提高。

3碳醯氟的分離純化技術

碳醯氟作為電子氣體,質量的要求較高。不論採用何種製備工藝技術路線,都會產生以下幾種雜質四氟化碳、二氧化碳、氟化氫、氯化氫。

對於碳醯氟與二氧化碳的分離,目前許多研究機構在嘗試新的分離手段。由於兩者的沸點僅相差6℃,其物理化學性質和分子大小比較接近,通過現有的吸附法、精餾法或鹼洗法都不能將其分開,對碳醯氟產品的質量提升遇到新的挑戰。

蔣玉貴等發明了一種碳醯氟的純化方法[12],其主要針對含二氧化碳較多的碳醯氟粗產品,採用低溫精餾進行脫輕和脫重處理後的物料,再次進行低溫精餾得到二氧化碳含量低於1000ppm的碳醯氟。此次脫除二氧化碳採用多次富集濃縮除去二氧化碳的方法,產品收費率低。

蔣玉貴等發明的又一篇碳醯氟純化專利[13]中涉及採用純化氣體與碳醯氟粗產品氣體中的雜質進行反應,除去碳醯氟粗產品中的雜質。所述的純化氣體為氟化氯、三氟化氯、五氟化氯和氟氣中任意一種或多種。純化之後的碳醯氟精品氣中COF2純度≥99.95%,CO2含量≤150ppm,COCL含量≤150ppm。此法採用化學反應的方式降低雜質的含量,是一種很好的方法,但所述的純化氣體不易獲取。

大野博基等發明了光氣與氟化氫在催化劑表面發生氟氯交換反應產生碳醯氟與氯化氫。為了分離碳醯氟與氯化氫,其測定了兩者的氣液平衡曲線。碳醯氟與氯化氫形成了共沸混合物,在整個區域內沸點曲線接近。認為形成共沸混合物且混合物的相對揮發度接近1,採用通常的精餾操作很難將兩者分開。經過反覆研究發現,在很混合物中添加共沸劑,改變兩分離物的相對揮發度,從而通過精餾分離將兩者分開。

大金株式會社發明提供了通過膜分離過程來提純碳醯氟的方法[14],所述過程首先將C02和COF2的混合物通入所述膜分離系統,在通過膜的一側得到C02而未通過膜的一側得到COF2。所述膜為聚醯亞胺分離膜。

中央硝子株式會社提供了一種可作為電子刻蝕和清洗氣碳醯氟的純化方法[15]。

所述過程包含將含有雜質的碳醯氟粗品在減壓低溫( -160~-100℃)的條件下進行精餾獲得高純度碳醯氟的方法,所述雜質為沸點與碳醯氟接近或高於碳醯氟的CF4、CF30F、CO2及CF3OOCF3等雜質。

目前國內機構也在研發多層膜分離方法進行碳醯氟與二氧化碳的分離;選擇專用或高效的吸附劑進行二氧化碳脫除;或採用多孔材料對二氧化碳的物理吸附也將是被推廣的方法。

為了提高產品的質量,在工藝路線的選擇及工藝條件的優化上至關重要。通過條件優化控制反應過程中二氧化碳或氯化氫的產生量,提高反應的選擇性。提高選擇性降低副產物的生成,使分離難度降低,提高碳醯氟的產率。隨著對各種純化方法的持續開發,更高純度的碳醯氟產品難題將被攻克。

4碳醯氟的應用

馬爾賽洛,里瓦等發明的用於生產太陽能電池的方法專利[16],在此專利中提及在具有高功率等離子的裝置中,通常使用純凈的碳醯氟作為蝕刻氣體;而在具有較低功率的等離子體裝置中,應用碳醯氟和氬氣的混合物做蝕刻氣體,因氬氣具有積極影響使等離子體穩定。在實施例中驗證碳醯氟可以成功地應用於蝕刻硅晶片表面,蝕刻時間可縮短仍獲得一種非反射晶片。

碳醯氟作為蝕刻氣體,其蝕刻速度與其他氣體進行對比圖如下:

從上圖分析六氟乙烷的濃度42%時,其蝕刻速度10912?/min;碳醯氟濃度在79%,其蝕刻速度9672?/min;八氟丙烷的濃度在23%,其蝕刻速度9680?/min。對比其他氣體碳醯氟表現出高刻蝕速度,碳醯氟與六氟乙烷的蝕刻速度相當。由於碳醯氟溫室氣體排放係數只有六氟乙烷的百分之一,對環境保護及設備的要求得到簡化[17]。

碳醯氟替代三氟化氮的研究,從工藝性能角度,碳醯氟在ICP(Remote)模式下,較三氟化氮具備以下優勢:

氣體用量方面,清洗效率與三氰化氮相當,但氣體用量僅為三氟化氮的64%,有效節省氣體消耗;

應用效率方面,碳醯氟氟離子利用率相對較高,尾排氣體中氟氣及雜質含量低,浪費及尾排氣體明顯減少:

碳醯氟遇水轉化為C02和HF,尾氣處理要求不高,依靠水洗系統即可滿足要求,其後處理系統較三氟化氮尾氣處理的催化燃燒系統及水洗系統,投資顯著降低;同時,因無需催化燃燒系統,較三氟化氮,碳醯氟的後處理系統維護費用也顯著降低。

尾氣處理後,仍有使用量1%左右的三氟化氮排放至大氣環境中,因三氟化氮GWP值極高,每噸外排三氟化氮將帶來100萬元的碳排稅,若改為使用碳醯氟,則每噸外排碳醯氟碳排稅將降低至僅40元。

專利統計分析

通過SCIFINDER檢索,檢索詞碳醯氟,檢索時間1990-2017年,檢索範圍為專利和文獻。共搜索到相關的專利文獻共1243篇。其中專利共234篇。各主要公司碳醯氟專利的數量見圖5,各階段碳醯氟專利的申請量見圖6。

從圖5分析Daikin是擁有碳醯氟專利最多的公司;國內的專利數量相對較少。

圖6分析在2005~2014年碳醯氟申請數量增加很快,很多公司都在研究碳醯氟的製備或下游產品的開發。

6研究成果

我公司一直進行碳醯氟技術的研究,從工藝優化、設備升級、質量提升、產能標定到裝置穩定運行,積累了大量的數據。在2016年,該成果通過了由陝西省科學技術廳組織、陝西省工業和信息化廳主持的科技成果鑒定會,該鑒定委員會一致認為該成果總體技術屬於國際領先水平。

目前我公司碳醯氟產品質量達到以下指標:

7結論

碳醯氟作為電子特氣,低GWP值,低大氣壽命,符合工信部發布的《中國製造2025》十大重點發展領域技術路線圖提出的關鍵材料,也屬於科技部發布的國家重點支持高新技術領域之電子化學品製備及應用技術當中的特種(電子)氣體。本文從碳醯氟的製備技術、反應設備、分離純化技術、應用及研究進展幾個方面對碳醯氟進行論述,基本涵蓋了碳醯氟的技術研究過程。產品的純化還需在工藝上精耕細作,碳醯氟應用研究技術的開發以及碳醯氟市場的宣傳和開發是目前面臨的問題。

參考文獻:

[1]金小賢,夏志遠,金向華.碳醯氟的研究進展[J]低溫與特氣,2017,35(1).1-3.[2]張懷,趙紀崢,張景利.碳醯氟的製備研究進展[J]化學推進劑與高分子材料,2011,9(4).27-33.

[3]ChildWillianV.Producion of carbonyl fluoride:US,3461050[P],1969

[4]YuukiMitsui,Koichi Yanase.Method forProduction carbonylfluoride:US,7371899[P],2008.

[5]大野基博,大井敏夫,橫尾秀次郎.碳醯氟的製造方法:中國,200980139487.9[P].2009-10-02.

[6]馬克思·布勞恩,約翰內斯·艾歇爾.碳醯氟的製備:中國,200580007413.1[P].2011-12-07.

[7]王博,張志君,徐雅碩.合成碳醯氟的裝置及方法:中國,201610518067.3[P].2016-06-30.

[8]權恆道,田村正則,關屋章.碳醯氟的製造方法:中國,200680035477.7[P].2011-11-16

[9]中谷英樹,平井麻衣,森本和賀.碳醯氟的製造方法:中國,201210183948.6[P].2012-06-05

[10]Kirovo-chepetskijKhimicheskijKombinatimeniB.P. Kon stantinova,Method and reactor for producingcarbonyl fluoride.

[11]楊曉勇,周楠,吳勇,等.一種改進型一氧化碳氟化反應器:中國2009801394879[P].2009-10-02.

[12]蔣玉貴,冀延治,徐海雲,等.一種碳醯氟的純化方法:中國,201310239401.8[P].2013-06-17.

[13]蔣玉貴,商洪濤,盂祥軍,等.一種碳醯氟的純化方法和制各方法:中國,

201610427018.9[P].2016-06-16.

[14]ダィキソ工業株式會社.二フッボニルの精裂方法:JP,4415656B2[P],2005.

[15]センキテル硝子株式會杜.COF2 0の精製方法:JP.4136378B2[P],2003.

[16]馬爾賽洛.里瓦.用於生產太陽能電池的方法:中國,201610223616.4[P].2016-07-20

[17]孫福楠,於大秋.半導體製造用高純電子氣體新品種的現狀[J].低溫與特氣,2017,35(2).1-3.


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