中芯國際 14 納米製程良率達 95％，距離 2019 年量產再邁進一步

首圖來源：中芯國際官網

根據中國供應鏈傳出的消息指出，中國最大的晶圓代工廠中芯國際，目前最新的14 納米 FinFET 製程已接近研發完成階段，其試產的良率已經可以達到 95% 的水準。因此，距離 2019 年正式量產的目標似乎已經不遠了。

據了解，根據中芯國際最新的財報顯示，目前中芯國際最先進的製程為28 納米。但是以 2018 年第 1 季的財報數字來看，28 納米占其營收不過 3.2%，相較聯電、英特爾等先進位程發展較慢的廠商來說，落後的一個世代以上，更罔論與先進位程開發進度較快的台積電、格羅方德、三星等企業已經準備切入 7 納米製程相較，更是足足落後 3 個世代以上。

而為了追趕這樣的落差，中芯國際不但在2017 年底延攬前三星電子及台積電的高層梁孟松來擔任聯席首席CEO的職務。主要就是希望藉由他過去的經驗，指導中芯國際在發展 14 納米 FinFET 製程上的進程，使中芯國際的 14 納米 FinFET 製程能在 2019 年達成量產的目標之外，還在 2018 年初宣布，將聯同兩大政府產業基金共同投資 102.4 億美元，以加快 14 納米及以下先進位程研發和量產計劃，最終達成每月量產 3.5 萬片的目標。如今，在中芯國際的 14 納米 FinFET 製程達到良率 95% 的情況下，等於是向目標又邁進了一大步。

事實上，隨著28 納米 Poly/SiON 製程技術成功量產，再加上 2018 年 2 月成功試產客戶採用 28 納米 High-K/Metal Gate（HKMG）製程技術的產品，試產良率高達 98% 之後，與中國台灣地區的聯電有著緊密合作關係的廈門聯芯，在 28 納米節點上的技術快速成熟。而這樣的消息對當前代表中國晶圓代工龍頭的中芯來說，因為在 28 納米 HKMG 製程良率一直不如預期，而且在過去 14 納米 FinFET 製程上又無法突破的情況下，幾乎要拱手讓出中國晶圓代工龍頭的位置。如今，在 14 納米 FinFET 製程技術上取得了突破，並向量產目標邁開腳步，才讓中芯國際再保住龍頭的位置。

此外，除了對內與聯芯的競爭外，中芯國際在14 納米 FinFET 製程上的突破，也象徵著拉近了與國際一線晶圓代工大廠的距離。除了台積電、格羅方德、三星都在積極布局 7 納米製程，並且最快 2018 年底前就能有產品出現之外，包括聯電、英特爾都還在 14 納米節點的位置上。尤其是英特爾，在 14 納米製程上，預計還將使用到 2019 年後。在這方面來說，中芯國際未來一但 14 納米 FinFET 製程正式進入量產，則中國市場上目前交由海外代工的產品，就有可能落到中芯國際的手上進行代工。對中芯國際來說會是利多，但對其他的競爭對手而言就可能不是太好的消息。

根據中國業內消息人士指出，雖然過去曾有中國大基金擬向格羅方德購買技術，強化中芯國際14 納米 FinFET 製程的消息。但是，這次似乎是梁孟松及其他所帶領的團隊發揮的作用，進一步將中芯國際的 14 納米製程拉上。只是，消息人士也指出，這事情光靠梁孟松一人並不可能辦到，而是梁孟松過去從中國台灣地區及韓國帶走的相關人員一起努力的結果。所以，中心國際線在已經達到了 14 納米研發成功的階段，下一階段就必須看 14 納米製程能為公司帶來多少效益了。

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