Intel 10nm工藝揭秘

作為科技行業著名的「牙膏廠」，英特爾一直走在所有廠商前面。因為它的10nm製程已經跳票三年之久，每當一款新的處理器發布，眾人翹首以待10nm的到來，可英特爾還是給用戶潑冷水，繼續跳票10nm工藝。

對於很多用戶而言，都在疑問為何英特爾一直跳票10nm呢？因為相比起同期的台積電、三星等廠商，10nm工藝早已經量產上市，並已推出蘋果A11、Exynos 9810等晶元，而作為PC領域中的大哥人物，為何英特爾跟不上潮流的發展呢？而今天，外媒TechInsight就給出了一份滿意的答覆。

TechInsight分析了這顆處理器，獲得了一些驚人的發現，直接證實了Intel新工藝的先進性。

分析發現，Intel 10nm工藝使用了第三代FinFET立體晶體管技術，晶體管密度達到了每平方毫米1.008億個(符合官方宣稱)，是目前14nm的足足2.7倍！

作為對比，三星10nm工藝晶體管密度不過每平方毫米5510萬個，僅相當於Intel的一半多，7nm則是每平方毫米1.0123億個，勉強高過Intel 10nm。

至於台積電

、GF兩家的7nm，晶體管密度比三星還要低一些。

換言之，僅晶體管集成度而言，Intel 10nm的確和對手的7nm站在同一檔次上，甚至還要更好！

另外，Intel 10nm的最小柵極間距(Gate Pitch)從70nm縮小到54nm，最小金屬間距(Metal Pitch)從52nm縮小到36nm，同樣遠勝對手。

事實上與現有其他10nm以及未來的7nm相比，Intel 10nm擁有最好的間距縮小指標。

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