三星再次侵權！面臨12億美元罰款

上個月，三星因侵權iPhone設計被裁賠償蘋果公司5.386億美元。而現在，三星又要因侵權被罰，這次遭侵權的是一所韓國大學。德克薩斯州聯邦陪審團判定，三星確實存在侵權行為，其侵權內容為鰭式場效應晶體管（FinFET）技術。

此次因侵犯韓國科學技術院（KAIST）專利，三星需賠償4億美元。而由於陪審團認定，三星為蓄意侵權，法官判定採取「三倍賠償」措施，因此最終罰金為12億美元。三星之外，高通和格羅方德（GlobalFoudaries）也涉嫌對相同專利造成侵權，但這兩家公司逃過了罰款的命運。

FinFET是設計處理器時用到的晶體管，因其閘電極形似魚鰭（fin）而得此名。這項技術可使單一晶體管有多個閘門打開，提高了小型晶元的性能，同時降低晶元能耗。

在此次訴訟中，三星起初否認使用了FinFET技術，認為使用同類技術只能算一種時下潮流。但文件顯示，在英特爾申請了FinFET技術許可後，三星的說法發生了改變。三星仍然否認侵權，但聲稱FinFET技術為三星與KAIST共同開發。三星表示他們認為FinFET技術專利無效，因此考慮提起上訴。

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