韓媒稱三星已啟動EUV 1ynm工藝的DRAM內存晶元研發

作為DRAM晶元的龍頭企業，三星目前已經能量產10nm級、最大容量16Gb的LPDDR4內存、GDDR5顯存和DDR4內存等。

據Digitimes引述News1 Korea報道，三星悄悄啟動了引入EUV（極紫外光）光刻工藝的DRAM內存晶元研發，基於1ynm。

報道稱，三星最快在2020年開始大量投產使用EUV 1ynm製造的DRAM晶元。

EUV光刻目前被三星、台積電、Intel等用於7nm工藝節點上，製造的普遍是AP（應用處理器）。三星曾表示，7nm LPP工藝將在今年下半年量產，明年上半年推出首款可商用的邏輯晶元。

結合手頭掌握的資料，高通已經確認其5G基帶晶元將由三星的7nm代工。

喜歡這篇文章嗎？立刻分享出去讓更多人知道吧！