三星FinFET工藝侵權韓國科學技術院，被罰4億美元

韓國三星為了多元化營收來源，這兩年把晶圓代工業務做為重點發展項目。2018 年率先宣布推出了 7 納米的 EUV 工藝，搶在台積電、格羅方德與英特爾之前推出。

只是，三星如今似乎「欲速則不達」，他們的 FinFET 工藝惹上了麻煩。因為根據韓國媒體報導，上周三星就被美國法院判決，侵犯了自家韓國科學技術院（KAIST）的專利，需要賠償 4 億美元的金額。

其實這起訴訟早在2016年就已經提出，當時《電子工程專輯》也做了相關報道，只不過到了2018年才正式宣判。

報導指出，高通和GLOBALFOUNDRIES也被認定有相同侵權行為，但未被要求支付任何費用。 三星對此表示不服，將再提出上訴。

KAIST是韓國頂尖研究型大學之一，此次引發侵權糾紛的專利是被稱為鰭式場效應晶體管（FinFET），是一種新的互補式金氧半導體晶體管。在如今晶元體積愈設計愈小的趨勢下，FinFET可以改善電路控制並減少漏電流，縮短晶體管的閘長。FinFET由加州大學伯克利分校胡正明教授發明，屬於多閘極晶體管。

根據報導指出，三星與 KAIST 在 FinFET 工藝上的爭議已久。本次，KAIST 在訴訟中表示，當時還在 KAIST 工作的教授 Lee Jong-ho，在 2001 年向三星展示過 FinFET 技術，但三星起初對 FinFET 工藝並不在意，直到後來看到英特爾的 FinFET 量產之後，三星隨之也加快了 FinFET 工藝的開發。其中，三星使用了 Lee Jong-ho 教授的 FinFET 工藝為基礎，改進本身的 FinFET 工藝。最後，在 2011 年推出了跟 Lee Jong-ho 教授研發的 FinFET 工藝相近的 FinFET 工藝技術。

而就是因為這樣，KAIST 就跟三星結下了梁子。2016 年，KAIST 就在美國德州的知識產權局控告三星，宣稱三星的 FinFET 工藝侵犯了他們的專利權。三星響應表示，他們是跟 KAIST 合作開發的 FinFET 工藝的，並質疑 KAIST 的 FinFET 專利有效性。不過，陪審團沒有聽從三星的理由，最終在上周判決三星侵犯 KAIST 的 FinFET 專利權成立，需要賠償 KAIST 大概 4 億美元的金額。

對於審判的結果，美國德州知識產權局的陪審團認為，三星侵權是故意的。所以，這個 4 億美元的賠償還不是最後的結果，未來甚至有可能被判最重罰款 12 億美元。而三星方面則對判決表示不服，指出將會考慮所有可能的選向，以在未來上訴後獲得合理的判決結果。

此外，這起侵權案中還涉及到了高通及GlobalFoundries，他們也被判侵權成立。作為全球最大的手機晶元製造商，高通是前兩者的客戶。上述三家公司在本案中進行了聯合辯護，但只有三星被罰款。

這起訴訟案標誌著韓國頂尖科研機構與對該國經濟至關重要的公司之間的衝突。截至目前，雙方的辯護律師均拒絕對裁定發表評論。

本文綜合自Technews、DoNews報道

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