「集邦短評」1y納米微縮難度超預期 傳三星暫緩DRAM擴產！

市場傳出存儲器龍頭韓國三星電子暫緩DRAM擴產消息。據業界消息，三星因為製程轉進1y納米後無法有效降低單位生產成本，原本第三季於韓國平澤廠（Pyeongtaek）東翼大樓（east wing）2樓擴增每月3萬片DRAM產能的計劃已暫緩。法人預期下半年進入旺季後，DRAM價格持續看漲到年底。

由於DRAM供給吃緊且價格持續調漲，包括三星、SK海力士、美光等三大廠都面臨來自客戶要求擴產的強大壓力。不過，因為DRAM製程由1x納米微縮到1y納米的技術難度高，在無法有效降低單位生產成本情況下，近期業界傳出三星暫緩擴產消息。

DRAM製程由20納米往1x/1y納米微縮，不僅新產能的設備投資金額創下新高，但晶圓良率提升腳步緩慢，導致單位成本降幅明顯低於預期。外資分析師指出，在晶圓良率同樣在85%的假設下，三星1y納米8Gb DDR4單位成本僅比上一代1x納米減少約11%，也就是說，將1y納米DDR4良率低於80%，代表單位成本降幅將低於6%，若晶圓良率低於75%，1y納米與1x納米的DDR4成本幾乎相同，代表製程微縮失去意義。

三星今年初釋出將在平澤廠2樓擴大DRAM產能計劃，包括在西翼樓2樓擴充每月2萬片1x納米產能，在東翼樓2樓每月擴充7萬片1y納米產能，其中東翼樓的產能建置包括第二季擴增4萬片，第三季再擴充3萬片。

但因為1y納米的微縮難度比預期高，無法有效降低單位生產成本，所以第三季擴增3萬片月產能計劃已暫緩，要等到良率明顯提升後才會重啟擴產計劃。

內容來源：工商時報

短評

集邦分析師：1y納米在各家普遍難度都比較高，這是確定的現象，而三星也決定要稍微延後平澤的投片也是確定的。然而，因為延後投片的規模與全球產能都比較微小，所以對於2018各季度的價格預測並沒有重大改變，仍然處於微幅供貨吃緊的狀態。

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