未來的數據存儲——基於二維方形納米磁體陣列磁化

納米方形材料的磁化是不固定的。它以螺旋運動的方式移動。所述不固定或移動是由電子引起的，所述電子的自由度被稱為自旋，所述自旋遵循以方形納米磁體的中間為中心的進動運動。

為了研究這種材料的磁化，物理學家們可以依靠二維方形納米磁體陣列。在EPJ B雜誌上發表的一篇論文（「Collective motion of magnetization in two-dimensional arrays of square elements」）中，來自Kirensky物理研究所的P. Kim與位於俄羅斯西伯利亞的克拉斯諾亞爾斯克俄羅斯科學院，以及他的同事們一起設計了一種新模型，這種新模型考慮了影響單個納米磁體之間磁場相互作用的因素。

方形材料單元的一部分的磁化結構的力顯微鏡圖像。比例尺：3μm

更好地控制這種納米磁體陣列可以應用在超高密度數據存儲，或應用在稱為自旋電子學的電子應用中利用電子自旋及其磁性，又或應用在由磁體控制的微米手術和納米手術中。

高密度數據存儲設備的開發要求陣列中元素具有儘可能高的密度。然而，它們的距離越接近，單個磁性納米方形之間的磁性相互作用就越大。這就轉換成多個磁共振線，而不是單共振線，而當這些方形進一步分開時才會是單共振線。

這意味著這種多重共振來源於單個納米磁體上的幾種振動模式，這些單個的納米磁體與整個陣列的幾種振動模式一致 - 當多個方形間距逐漸變大時，所述單個方形納米磁體不再是單個振動模式。

這項工作的原創性在於所選納米磁鐵的正方形幾何形狀。與之前的使用不同幾何形狀的研究不同，這項工作研究了大量元素陣列中極性和手性的各種組合情況。

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