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2018年全球 DRAM及NAND 價格走勢分析

最近,市場研究機構 Yole 發布了季度內存相關報告,稱過去一年DRAM和NAND貢獻巨大的內存市場,將在2018年取得類似的成功。內存將有望佔2018年半導體總收入的1/3以上,大大超過約25%的歷史平均水平。

2017年,半導體行業取得了創紀錄的好成績,收入超過4000億美元。隨著電子元件的應用越來越多,特別是移動和數據中心等領域,全年對半導體器件的總體需求強勁。

DRAM 價格上漲23%

根據2017年的增長趨勢推測,預計DRAM價格在2018年將上漲23%(上半年價格上漲33%/ 2H上漲16%)。此外,預計出貨量將增長22%。

這一組合將使DRAM收入從730億美元上升51%至1110億美元。 DRAM 的關鍵需求是移動和數據中心,移動需求幾乎達到40%,數據中心需求約為25%。

目前,三星、SK海力士、美光控制了大約95%的DRAM 市場。儘管資本投資接近歷史最高水平,但這三家公司都在管理自己的業務,以保持盈利。

NAND情況稍有緩和

Yole預計2018年價格下降15%,而出貨量預計增長45%。此外,預計收入將從540億美元上升到23%,達到660億美元。

其中關鍵需求部分與DRAM類似,移動占約36%的需求,數據中心(企業SSD)約佔需求的21%,PC(客戶端SSD)約佔需求的24%。 預計總體SSD需求將達到NAND總需求的約45%。

NAND的競爭格局依然非常活躍。三星正在平澤市投資建設新晶圓廠;英特爾正在成為一個重要的中國市場供應商;東芝內存業務確認出售給貝恩資本(Bain Capital)領導的財團。

競爭格局將生變

Yole表示,中國在內存領域的投入(長江存儲和其他諸多項目),將有可能破壞目前的競爭格局。

來源: YoleDéveloppement,2018年6月

除了手機、數據中心和固態硬碟之外,人工智慧和物聯網預計將成為內存市場強勁的需求推動力,從2018年開始並延伸到未來。雖然邊緣計算的出現會降低每個設備的內存容量,但整體設備的大幅增加將導致巨大的內存需求。

雖然中國有可能影響內存市場競爭格局,然而距今仍需要幾年時間。到目前為止,中國已經投資數十億美元來推動內存行業的發展。例如長江存儲及其NAND產品將率先進入內存市場,2018年底/ 2019年初推出產品。Yole認為,長江存儲仍需要幾年的時間才能趕上老牌廠商。

另外,合肥長鑫和福建晉華項目也取得一定進展,合肥長鑫有希望於今年年底,誕生首個自主研發的DRAM晶元,晉華項目預計2018年8月正式投產。

總體來說,近幾年內存市場格局基本維持目前狀況,根據Yole 預測2018年DRAM價格將上漲23%,NAND價格下降15%。


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