三星下一代V-NAND技術要來啦！SSD速度再將大幅提升
三星日前宣布，它已經開始大規模生產其第五代V-NAND存儲技術。這種快速的存儲技術可以擁有高達1.4Gbps的起始速度，並具有超過90層的數據存儲單元。
除了這項宣布之外，三星還開發了未來的QLC（四層單元）產品。這些高密度的NAND晶元一開始可能只適用於企業，但在三星V-NAND系列的低端產品線上，它們有潛力填補廉價硬碟和快速但昂貴的SSD之間的差距。
與此同時，第五代256GB的V-NAND是第一次使用「ToggleDDR4.0」介面的產品，這是一種用於提高非同步NAND傳輸速度的標準，讓我們這一新的存儲器技術比上一代64層技術的速度快40%。這使得它可以輕輕鬆鬆地超越早期V-NAND技術的傳輸速度限制，例如三星970 Evo SSD。
然而這對內存巨頭的下一代遊戲SSD意味著什麼？三星正在努力提高讀取速度，並將寫入速度提高30％，這必將超過第四代NAND，所以這些新的V-NAND晶元可以製造一些相當快的SSD，而不是當今市場上最好的M.2驅動器。
該公司在新的V-NAND晶元中使用電荷捕獲單元——這也是鎂光公司拋棄英特爾後採用的浮柵單元。每個單元都能存儲三位(TLC)，但三星也在「準備引入」QLC存儲技術，該技術可以存儲每個單元4位。英特爾-鎂光合資公司也宣布了自己的QLC SSD——據說已經發貨了。
隨著單元位數的增加，可靠性就會降低。這就是為什麼TLC 3D NAND經常位於產品堆棧中的MLC(多級單元)和SLC(單級單元)驅動器的下面。然而，TLC的好處，很快將成為QLC的了，它們將在相同的狹窄模具空間內提供更高的密度。總有一天，一旦生產複雜性和價格下降，即使是我們簡陋的遊戲主機中，QLC也可能會取代硬碟。
隨著三星增加第五代V-NAND晶元的產量，新一代SSD可能會在今年年底前面世。
本內容來自PCGamesN，作者Jacob Ridley，Samsung"s next-gen V-NAND tech will be 40% faster than current SSDs。
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