指望更大容量的手機？明年可能不會有了

「1981年，比爾蓋茨曾說，未來的電腦只需要640KB的內存大小，就絕對夠用了，不會有需求超過640KB的程序出現。」

這句話在很長一段時間裡，都曾被作為「大人物也會犯嚴重的錯誤」的例子，在各種雞湯文里反覆出現。雖然其實比爾蓋茨本人早在1996年就已經闢謠「我沒說過這話」，但關於計算機技術必然持續進步這一常識，如今倒是已經被公眾廣泛接受——比如說，如今遊戲PC的內存就早已是16GB起步，640KB什麼的，早已成為了浮雲。

不過，對於智能手機來說，近年來持續的內置存儲容量提升，很可能要在明年迎來一波停滯——這是怎麼回事呢？

「罪魁禍首」當然是存儲半導體巨頭三星——去年7月，他們曾經發布了旗下的第四代V-NAND堆疊快閃記憶體，發布時的初始容量256GB，工作電壓1.8v，理論讀寫帶寬可達1Gbps。而在去年年底，三星再接再厲，在工藝並未改進的前提下，將64層堆疊的第四代V-NAND做到了單晶元512GB，成就了今年諸如OPPO Find X蘭博基尼版、堅果R1頂配版（使用了兩顆快閃記憶體達成1TB容量）等一眾超旗艦。

時隔一年之後，三星的第五代V-NAND快閃記憶體如期而至，和上一代相比，它的堆疊層數從64層提高到90層，每一層之間以硅穿孔技術相連接。在性能方面，新一代的快閃記憶體帶寬提升到了1.4Gbps，相比上一代提高了40%之多，與此同時，它的工作電壓從1.8v降低到1.2v，功耗和發熱量都隨之降低。

性能提高了40%、功耗降低了30%，新一代的快閃記憶體晶元看起來似乎什麼都好——除了一點，它的容量……

三星此次發布的第五代V-NAND最高僅有單晶元256GB，論容量密度的話，還趕不上去年年底的第四代收官之作。要知道，這是在堆疊層數增加了差不多50%的前提下，換來的卻反而是容量的減半。乍看之下，這非常沒有道理，不是么？

事實上，仔細想想就會發現，三星還是沒有「坑」大家的——一方面來說，目前智能手機的主流快閃記憶體容量還停留在64GB這一檔，128GB對於很多中高端手機都算是頂配了——256GB、性能更高的快閃記憶體支撐旗艦定位毫無問題。

另一方面來說，在手機內置快閃記憶體晶元容量沒有獲得很大突破，甚至稍有倒退的情況下，包括三星、西數等廠商也早已做好了準備：速度接近1GB/s的下一代SDEX存儲卡、和手機內置UFS快閃記憶體採用相同技術的UFS存儲卡，這些超高速存儲卡的出現使得未來的手機不用再糾結容量不夠的問題，同時還能保有足夠快的存儲速度。

只不過，對於那些並不打算接納存儲卡的手機來說，新一代快閃記憶體晶元容量並未增加，對於它們或許確實會造成一些困擾——這就只有讓我們拭目以待了，不是么？

【本文圖片來自網路】

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