三星量產第五代3D V-NAND快閃記憶體:96層堆疊 提速40%
科技
07-11
日前,三星電子宣布,已經開始批量生產第五代V-NAND 3D堆疊快閃記憶體,同時擁有超大容量和超高速度。
三星第五代V-NAND採用96層堆疊設計,是目前行業紀錄,內部集成了超過850億個3D TLC CTF快閃記憶體存儲單元,每單元可保存3比特數據,單Die容量達256Gb(32GB)。
這些單元以金字塔結構堆積,並在每一層之間貫穿極微小的垂直通道孔洞,尺度僅有幾百微米寬。
它還業內首次使用了Toggle DDR 4.0介面界面,在存儲與內存之間的數據傳輸率高達1.4Gbps,比上代64層堆疊提升了40%,同時電壓從1.8V降至1.2V,能效大大提高。
數據寫入延遲僅為500微秒,比上代提升30%,而讀取信號響應時間也大幅縮短到50微秒。
三星還透露,正在開發1Tb(128GB)容量的QLC V-NAND快閃記憶體顆粒。
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