三星宣布大規模生產第五代V-NAND快閃記憶體晶元

【環球網科技綜合報道】據外媒7月10日報道，頂級NAND快閃記憶體晶元製造商三星宣布已開始大規模生產其第五代V-NAND快閃記憶體晶元。

三星第五代V-NAND內存晶元是業內第一個利用Toggle DDR 4.0介面的產品。該介面被稱為數據傳輸的高速公路，在存儲之間的傳輸速度可達1.4 Gbps。與前一代產品相比，後者使存儲的傳輸速度提高了40%。此外，新的V-NAND數據寫入速度僅延遲了500微妙，與前一代相比改進了30%，讀取信號時間已降低到50微妙。值得一提的是新的96層V-NAND快閃記憶體晶元也更加節能，電壓從1.8V降至1.2V。

為了實現上述所有的改進，新一代V-NAND配備了90層的3D TLC 快閃記憶體存儲單元。它們堆疊成金字塔狀結構，中間有微小孔。這些小孔用作通道，尺度僅有幾百微米寬，包含超過850億個快閃記憶體單元，每個單元存儲多達3比特數據，單Die容量達256Gb(32GB)。這種製造方法包括了許多先進技術，比如電路設計、新工藝技術等。具體細節三星未詳述，但該公司稱，V-NAND的改進使其生產效率提高了30%以上。(實習編譯：鄭婷婷 審稿：李宗澤)

本文來自環球網，創業家系授權發布，略經編輯修改，版權歸作者所有，內容僅代表作者獨立觀點。[ 下載創業家APP，讀懂中國最賺錢的7000種生意 ]

喜歡這篇文章嗎？立刻分享出去讓更多人知道吧！