三星Galaxy S10手機產品規格曝光 手機性能將比上一代有大幅提升

三星Galaxy S10預計要到明年才會發布，但網上泄露的信息已經從四面八方湧來。這家韓國科技公司將於2019年推出Galaxy S10，以慶祝Galaxy S系列10周年。網傳Galaxy S10可能會有雙面和三面後置攝像頭，6.44英寸顯示屏，以及3D人臉解鎖等。使用三星最新Exynos 9820處理器驅動，再配以malig - g76 MP18 GPU。與此同時，三星還分別開始了其第五代256Gb V-NAND模塊的量產，據稱這些模塊具有業界最快的數據傳輸速度。搭配了最新的EXYNOS 9820處理器和G76 GPU，預計三星 GALAXY S10將比上一代S9在手機性能上有個大幅提升。

三星把自家的下一代高級處理器將命名為Exynos 9820。作為DynamIQ體系結構的一部分，SoC將配備總共8個CPU內核。此外，該布局還包括兩個Exynos M4大內核和兩個Cortex-A75或Cortex-A76中型核心。此外，四個Cortex-A55較小的內核將完成設置。與此同時，將會有一個新的GPU被稱為Mali-G76 MP18。Mali-G76可以有18個核，與Exynos 9810中的G72一樣。英國晶元設計公司ARM今年早些時候宣布了新的處理器設計。

三星表示進入量產的256Gb V-NAND內存，由於使用Toggle DDR 4.0介面，其數據傳輸速率為1.4Gbps。該公司聲稱，它比64層的前身增加了40%。同時，工作電壓從1.8伏降低到1.2伏。新的V-NAND也聲稱擁有到目前為止最快的數據寫入速度為500微秒。它比上一代的寫速度提高了大約30%。同時，對讀取信號的響應時間也大大減少到50微秒。

三星的第五代V-NAND裝有超過90層的「3D充電快閃記憶體(CTF)電池」，據說是業內最大的電池。，堆疊在金字塔結構中，在整個結構中垂直鑽取微小的通道孔。這些100納米寬的通道孔包含850億個CTF細胞，每個細胞可以存儲3位。同時，產量增加了30%，細胞層的高度減少了20%。三星在一份聲明中說，公司還將在未來推出1-terabit (Tb)和4 -level cell (QLC)。執行副總裁Kye Hyun Kyung Flash補充道：「除了我們今天宣布的前沿進展,我們正準備介紹1-terabit(Tb)和quad-level細胞(QLC)技術改進V-NAND陣容,將繼續推動動力新一代NAND內存解決方案在整個全球市場。

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