性能提升40％ 三星 正式量產 第五代3D V-NAND顆粒

近日，Samsung Electronics（三星電子）官方宣布，正式開始量產業內最先進的96層堆疊設計顆粒——第五代3D V-NAND，性能提升約40%，容量密度大幅提升同時，延遲響應和電壓也大幅降低，所以新一代能耗表現更為優秀。

據了解，三星第五代V-NAND採用業內先進96層堆疊技術，採用類似金字塔結構堆疊而成，在每一層之間貫穿極微小的垂直通道孔洞，尺度僅有幾百微米寬。結構的優勢，促使內部集成了超過850億個3D TLC CTF快閃記憶體存儲單元，每單元可保存3bit數據，所以單Die容量可輕鬆達到256GB（32GB）。除了容量，先進的構架技術還擁有更高效的執行效率，官方表示性能相比64層提升約40%左右，數據讀取延遲50微秒，而寫入延遲僅為500微秒，比64層顆粒降低30%。

此外，它還首次使用了Toggle DDR 4.0介面界面，在存儲與內存之間的數據傳輸率高達1.4Gbps。同時電壓從1.8V降至1.2V，能效大大提高，不過具體能耗表現未透露。與此同時，三星官方還透露了未來產品計劃，表示他們正在開發1TB（128GB）容量QLC V-NAND顆粒，具體量產時間還不清楚，預計要等到明年年底左右。

以上圖片引用來自互聯網，僅供參考

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