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投資將達90億美元 三星確保NAND快閃記憶體繼續領先優勢

隨著智能手機加速發展,其涉及到的NAND快閃記憶體需求大漲。目前三星在NAND快閃記憶體晶元方面佔據了全球38.3%的營收,而且這個優勢還將繼續保持。為了繼續擴大領先優勢,三星希望在中國西安與韓國平澤投資快閃記憶體生產線,就是為了進一步拉開與競爭對手的差距,保持絕對領先優勢。

目前全球快閃記憶體市場,只要有這幾個玩家保持著絕對市場,其中就包括三星、SK海力士、西部數據、美光、英特爾、東芝等,除此之外中國長江存儲也在發力3D NAND快閃記憶體。此前長江存儲就喜提EUV光刻設備,用於14nm~20nm工藝,該設備也是全球最先進的晶元生產工具和設備。這意味著長江存儲在準備量產3D NAND快閃記憶體晶元。

面度如此多的競爭對手,三星稱將在明年繼續投入90億美元,用於擴大NAND快閃記憶體投資,而在今年三星的投資額度只有64億美元。而且現在三星還宣布生產全球領先的第五代V-NAND快閃記憶體。該快閃記憶體比起上一代晶元傳輸速度將提升40%以上,數據寫入速度提升30%以上。三星將在未來擴大第五代快閃記憶體的投入,搶先各大快閃記憶體競爭對手。

而現在中國還聚焦在32層三維NAND快閃記憶體晶元,與三星第五代快閃記憶體技術還有差距。外媒認為中國要想趕上三星,需要發展幾年。而現在三星無疑也在加大該領域的投入,從而鞏固在存儲晶元的領先地位。

由於智能手機市場還在加大,外界認為三星將在快閃記憶體晶元方面創造新的利潤記錄。隨著各大競爭對手的生產線投入,快閃記憶體晶元市場缺貨將得以改變,但是要想降價還是沒有那麼快,畢竟現在三星依然主導者晶元價格。


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