台灣省產業分析存儲器Vs消費級晶圓前端Vs後端

儲器營收同比增速和產能釋放的關係。這兩者的關係落在產業，那就是，2017年產業採取的是「配銷模式+惜售漲價」，2018年又採取的是「預付款」制度。

圖：NOR Flash存儲器當月營收收入同比增速Vs月度產能釋放增速

旺宏電子Vs兆易創新。我們再對比台灣省之龍頭旺宏電子Vs大陸龍頭公司兆易創新，季度收入同比和環比增速的比較。

圖：旺宏電子Vs兆易創新，季度收入，同比增速

圖：旺宏電子Vs兆易創新，季度收入，環比增速

旺宏電子，產品線豐富，擁有DRAM、NAND、NOR等完整的產品線，同時在高端、中低端市場的結構比例均衡，並且在非消費級市場，也就是第四次硅含量提升周期——汽車、工業、物聯網、5G等領域均有布局，最為重要的是，旺宏電子是一個IDM，具有自主的晶圓生產線，產能掌握在自己手裡。

兆易創新，目前產品結構中，主要是NOR為主，只是一家晶元設計公司，並不具有獨立自主的生產線。雖然在產品線結構、市場和客戶結構等方面，和海外大廠仍有一定的差距，但是作為中國大陸本土最大的存儲器晶元設計公司，在第四次硅含量提升周期之方向——汽車、工業和物聯網等領域的開拓，GD公司依舊努力走在最前沿。

無論是收入規模，還是市場份額，或是技術創新等方面，三星、海力士、鎂光科技、旺宏電子等海外大廠在全球的領先地位和優勢，我們並不諱言，中國大陸在半導體集成電路晶元領域的不足，也清楚和正視自身仍需要提高和努力的地方，同樣也因為不足，更加需要補短板，這也就是中國半導體人在「第二次大投入」中所應努力的方向和目標。

特別是2018年，這一特殊的年份，在這中華民族偉大復興之中國夢的關鍵時刻，種花家人建立完整的、具有獨立自主核心技術的新中國半導體工業體系、存儲器晶元戰略進程唯有更快前行。

自2017年3月正式發布《中國半導體產業的思考——隨筆》系列報告以來，我們鮮明的提出了「剪刀差」和「硅周期」兩個核心邏輯，並在這兩個核心邏輯的基礎上，我們進一步提出了產業景氣路徑之「傳導圖」——買入存儲器、設備以及配套、晶圓前端製造、易耗品；迴避消費級。特別警惕降階搶奪、注重需求閉環。而通過對中國台灣省半導體集成電路產業的分析，反過來又更進一步佐證了我們隨筆的核心邏輯的生命力。

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