三星推LPDDR5內存晶元 採用10nm級工藝

【PChome整機頻道資訊報道】三星在2014年首先成功量產8Gb LPDDR4內存晶元，之後，就開始推進向LPDDR5新標準的過渡。昨日消息，三星宣布成功開發出業內首款LPDDR5-6400內存晶元，基於10nm級工藝。據悉，該LPDDR5內存晶元單顆容量8Gb（1GB），8GB容量的模組原型也做出並完成功能驗證。其內存帶寬最高可達6400Mbps（1.1V工作電壓下），是LPDDR4X 4266Mbps的1.5倍。與此同時，功耗比LPDDR4X降低高達30%，主要是得益於動態調節電壓、避免無效消耗、深度睡眠等技術的加入。

新的8Gb LPDDR5內存晶元是三星高端DRAM產品線的一部分，後者已經包括10nm級的16Gb GDDR6顯存晶元（2017年12月量產）和16Gb DDR5內存晶元（今年2月份開發完成）。LPDDR5內存晶元將用於移動設備如手機、平板、二合一電腦等，三星稱，5G和AI將是其主力服務的場景。三星將在位於韓國平澤市的工廠量產LPDDR5、GDDR6和DDR5 DRAM晶元。

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