三星推出全球首款10nm工藝LPDDR5內存，速度每秒破100GB

【電腦報全媒體】隨著各種AI、5G技術越來越貼近消費者，各種終端對於晶元的要求是越來越高，近日，三星宣布推出新一代基於10nm級(10~20nm)工藝的LPDDR5內存顆粒，最早第三季度發布。這是業內的首款內存規格為LPDDR5晶元，據悉該晶元單顆容8Gb（1GB），8GB容量的模組原型也做出並完成功能驗證，內存速度（針腳帶寬）最高6400Mbps。

在目前的手機市場上，旗艦機採用的都是內存規格為LPDDR4X，包括iPhone X、三星S9系列以及國內市場的小米8、一加6等都是採用的該類內存。根據三星官方稱，LPDDR5的速度是LPDDR4X 4266Mbps的1.5倍，每秒可以傳送51.2GB數據（比如高端手機常見的64bit bus），相當於14部1080P電影（每部3.7GB），如果要是PC的128bit BUS，每秒破100GB無壓力。

與此同時，功耗比LPDDR4X降低高達30%，主要是得益於動態調節電壓、避免無效消耗、深度睡眠等技術加入。1.1V工作電壓下可達6400Mbps，1.05V下可達5500Mbps。這是一款超高速、低功耗(LP)內存，特別適合5G和人工智慧（AI）驅動的移動應用。可供手機、車載平台自行選擇。

根據資料顯示，三星在2014年首先成功量產8Gb LPDDR4內存晶元，之後，就開始推進向LPDDR5新標準的過渡。新的8Gb LPDDR5內存晶元是三星高端DRAM產品線的一部分，後者已經包括10nm級的16Gb GDDR6顯存晶元（2017年12月量產）和16Gb DDR5內存晶元（今年2月份開發完成）。

三星表示，它在韓國平澤的工廠將開始批量生產LPDDR5、DDR5和GDDR6類型的下一代內存，為手機、PC、顯卡廠商提供服務。目前正計劃根據客戶需求開始大規模生產，英偉達的11系列新顯卡，或許就會用上GDDR6顯存。

在新一代的內存方面，三星10nm工藝擁有絕對的技術優勢，而晶元巨頭Intel此前就表示，2019年底10nm工藝都不會量產，這意味著2020年之前英特爾的處理器還都是14nm工藝。三星對於整個行業依然有著相當的控制力，當然在行業中一家獨大並不是什麼好事情。

目前國內的存儲晶元幾乎全部依賴進口，特別是此前的「中興事件」給了我們沉重的思考。與三星、美光、SK Hynix相比，國內公司在DRAM內存晶元生產上依然是0，還處於研發階段。紫光旗下的西安紫光國芯雖然有DDR3、DDR4內存顆粒生產，不過技術來源還是已經破產的奇夢達，距離大規模量產依然有很長的路要走。

不過，也不是一點進展都沒有，國產晶元公司合肥長鑫已經投產8Gb LPDDR4晶元，預計於2018年年底推出8Gb DDR4工程樣品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，產能將達到2萬片一個月，這也是國產DRAM產業的一個里程碑。

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