QLC快閃記憶體擦寫壽命只有百次？這是在販賣焦慮！

自5月份美光率先宣布量產以來，美光、三星、東芝三大快閃記憶體原廠均已宣布各自3D QLC計劃，並且都與96層堆疊技術掛鉤。新的快閃記憶體類型誕生了，那麼不可避免的又會重現TLC問世時的恐慌情緒。關於QLC快閃記憶體，我們需要提前了解一些它的前世今生。

QLC不是新事物

很多人最近才看到QLC的字眼出現在各大媒體，其實早在2009年2月，閃迪就宣布了全球首款4位單元快閃記憶體技術（X4 Technoly），即QLC快閃記憶體。首個QLC快閃記憶體實用43nm工藝製造，單晶元容量64Gb，可結合MCP多晶元封裝提升容量。

這個最古老的QLC快閃記憶體當時就已經具備了諸如All-Bite-Line(ABL)架構以及三步編程和順序感應等先進特性。如果要問為何它沒能持續走下去，除了技術上的發展難度之外，更多的原因大約還是當時尚能通過製程微縮快速有效地降低成本。

TLC->QLC不可避免

從平面到3D堆疊，快閃記憶體原廠們挽救了製程微縮撞牆的困境。但3D堆疊也不是一勞永逸的只管蓋高樓就能實現容量的不斷擴增。除非基礎材料能取得新的突破，目前技術水平下3D堆疊發展到128層以後還會遇到新的瓶頸，所以各大原廠不約而同的在96層就開始QLC的研發。

通過TLC到QLC的演變，理論上我們可以獲得33%的存儲密度提升。輔以新96層堆疊技術，東芝已經宣布1.33Tb的單晶元存儲密度，再加上16 die封裝，單顆晶元就能夠實現2.66TB存儲容量。

耐久度會有多差？

降價是大家都想看到的，如果需要用擦寫循環次數來交換的話，大家肯定需要知道具體的代價有多大，能否接受的了？

糾錯時間到了，先看看某網站是怎麼寫的：可靠性很差，可擦寫壽命100-150次。

這是在販賣焦慮。快閃記憶體擦寫壽命有多少，這個讓快閃記憶體原廠自己來回答最有說服力。美光對於3D QLC是這樣標註的：1000PE。至少是與2D TLC持平的。

有沒有打臉呢？某媒體認為現在TLC還只有最高1000PE，這不知道是在翻哪年的老黃曆了。早在三星840推出的時候，SMART信息中快閃記憶體磨損指標就是按照1000PE標註的。當然了，三星840後來被發現缺少應有的數據保存期應對機制，爆出了老數據掉速問題，這是後話了。

美光第一款應用3D QLC快閃記憶體的是企業級SSD，如果可靠性真的如某些媒體所說「很差」的話，應該是先用到存儲卡里才對，有企業級產品做先鋒，普通家庭用戶還有什麼擔心的？而且大家不必太過揪心QLC會來的太快，首批96層3D快閃記憶體產品還會是TLC的，至少三星和東芝都是這樣計劃的。東芝今天已經宣布了首款應用96層3D TLC快閃記憶體的客戶級NVMe固態硬碟——XG6系列。據外媒猜測，XG6有望被引入到零售產品線當中，型號有可能是RD500或RD600。

額外的糾錯：

這部分也是某媒體在QLC科普文中傳播的錯誤信息，儘管與QLC沒有必然相關，不過這裡有必要做出糾正：他們居然還把這段話標粗去強調了！

上面這段話中包含大量錯誤。

1.目前沒有任何消費級SSD中「集成了SLC快閃記憶體」。SLC Cache是將TLC或MLC快閃記憶體以SLC方式操作來實現的，並沒有物理SLC快閃記憶體集成在其中。8到50GB也並不能代表「一般「值，實際範圍要比這大很多，小至2GB，大至數百GB，取決於固件演算法。

2.「平時我們的讀寫操作都是在SLC緩存裡面進行「，大錯特錯。對於具備SLC緩存的SSD來說，寫入的確是進入SLC緩存的，但是讀取，只有少數情況下才會出現數據從SLC緩存直接讀出的情況。少數情況包括但不限於：SLC緩存延緩釋放的SSD進行AS等理論跑分時，讀取測試執行時緩存尚未釋放，數據直接從緩存讀出；部分SSD採用全盤SLC的同時又執行比較懶的GC策略，若空白塊沒有低於閾值，就不會主動釋放SLC緩存內容，那麼讀取就有機會從SLC緩存讀出。總的來說，正常使用中數據從SLC緩存直接讀取的情況屬於極小概率時間。儘管現在已經有一些先進的SLC演算法開始嘗試熱數據持續緩存，不過從總體上看，多數SSD讀取操作還是從TLC中進行的。

3.「SLC緩存寫滿後需要一定時間才能完全釋放供下次使用「，錯誤。SLC緩存寫滿後可以邊釋放邊寫入，如果必須完全釋放才能寫入的話，SSD早就停止響應，系統也早就藍屏了。

4.快閃記憶體擦除速度的確比寫入更慢，但這不是SLC緩存用滿後速度緩慢的直接原因。儘管快閃記憶體擦除一次需要的時間在毫秒級，但是一次擦除可以清空整個block（可包含數千個Page），相比寫入速度的影響要小的多，擦除速度慢不是關鍵所在。原文中的因果關係不成立。

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