長江存儲將登上美國快閃記憶體峰會，3D NAND架構Xtacking將亮相

紫光集團旗下長江存儲將在美國一年一度的快閃記憶體高峰會（Flash Memory Summit 2018 ; FMS）上宣布全新的 3D NAND 架構 Xtacking，這是中國在存儲領域上，自主研發技術在國際型半導體會議上的首次公布，將由長江存儲的首席執行官楊士寧領軍宣布。

美國的快閃記憶體高峰會（Flash Memory Summit 2018 ， FMS）即將在 8 月初於美國 Santa Clara 會議中心登場，是一個技術展示的重要國際型場合，國際半導體大廠每年都會在該高峰會上公布和宣示新技術突破發展。今年，中國半導體廠長江存儲將首次登上該舞台，展示全新的新技術發展。

長江存儲的首席執行官楊士寧計劃於 2018 年 8 月 7 日舉行的 Flash Memory Summit 2018 上進行演講，主題為「 Unleashing 3D NAND"s Potential with an Innovative Architecture 」，宣布具突破性意義的 3D NAND 架構創新技術 Xtacking 的誕生。

長江存儲透露，該技術架構可以增加 NAND I/O 讓晶元加速達到 DRAM DDR4 介面的傳輸速度，讓 3D NAND 晶元在存儲容量上可以有飛越性地進步，可以快速達到符合業界要求的領先容量標準，進而增加包括消費型SSD（Client SSD）、企業型SSD（enterprise SSD）、UFS 等 NAND 裝置的效能，以及智能手機、計算機、雲端伺服器等應用帶來高效能的解決方案。

據了解， Xtacking 技術架構將會從長江存儲下一世代問世的 64 層 3D NAND 技術中開始導入，之後每一世代的 3D NAND 技術都會導入 Xtacking 技術架構。

長江存儲有信心指出， Xtacking 技術架構可讓新世代 3D NAND 縮短產品問世，且提供客制化 NAND 產品。

長江存儲是成立於 2016 年，是紫光集團旗下從事 3D NAND 晶元技術開發和生產的半導體廠，總部和 12 寸晶圓廠為於武漢，成立資金 240 億美元，第一期晶圓廠完成後，單月產能上看 20 ~ 30 萬片，這是中國第一家也是唯一一家參加 3D NAND 技術開發和生產的半導體廠，該公司也整合具有超過十年記憶體技術的武漢新芯。

值得一提的是，長江存儲在 2017 年底達到一個具里程碑的目標，就是成功研發 32 層技術的 3D NAND 技術。日前，該公司也引進第一台荷商 ASML 的 193 奈米光刻機，準備頭入 3D NAND 快閃記憶體晶元的大規模生產。

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