長江存儲將展示新型3D NAND結構Xtacking，I/O速度堪比DDR4

國內廠商使用的NAND快閃記憶體及DRAM內存全部來自進口，去年光是存儲晶元進口就高達896億美元，目前國內已經布局了三大存儲晶元基帶，紫光旗下的長江存儲目前專註於3D NAND快閃記憶體研發、生產。在今年8月份的FMS國際快閃記憶體會議上，長江存儲也將首次參加，CEO楊士寧將展示新型3D NAND快閃記憶體結構Xtacking，號稱I/O介面速度達到了DDR4內存的水平，同時具有業界領先的存儲密度。

根據長江存儲發布的公告，他們研發的Xtacking結構3D NAND快閃記憶體，將具有前所未有的I/O速度，從而能夠將UFS、SSD硬碟及企業級SSD等產品的性能提升到前所未有的程度。

除了高速度，Xtacking堆棧還實現了NAND與外圍電路的並行處理，這種快閃記憶體開發和製造工藝的模塊化將縮短新一代3D NAND快閃記憶體的上市時間，並為NAND快閃記憶體產品定製化提供了可能。

目前Xstacking快閃記憶體的具體信息還沒有公布，一切還要等楊士寧在8月7日的FMS會議上發表主題演講才能確定。

不過長江存儲所說的I/O介面是指NAND快閃記憶體的介面，目前NAND快閃記憶體使用的主流介面有Toggle、ONFi，最新的Toggle 3.0介面速度可達800 MT/s，ONFi 4.0也能達到800MT/s，不過這兩個介面標準在三星、美光、英特爾的3D NAND快閃記憶體上已經少有提及。

長江存儲所說的Xtacking能達到DDR4內存的速度指的就是I/O介面，不過DDR4公認的初始頻率就有2133MT/s，這個速度確實比ONFi、Toggle介面快得多，只不過現在這些都還是猜測，具體還要等長江存儲公開。

Xtacking快閃記憶體應該是長江存儲預研的新技術，目前還在申請專利，對新入NAND市場的公司來說積累技術是個艱苦但又不得不做的階段，而長江存儲目前及未來量產的3D NAND快閃記憶體似乎並沒有這麼先進，此前公開展示的還是32層堆棧的64Gb核心快閃記憶體，之前接到過1萬片晶圓的NAND訂單，但主要是用來製造8GB存儲卡的，並不高端。

不過也有消息稱2019年長江存儲真正量產的時候，生產的3D NAND快閃記憶體將是64層堆棧的，這樣一來技術水平跟三星、美光、東芝等公司將縮短到2-3年時間。

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