國產DDR4內存晶元預計年底推向市場

IT之家7月30日消息 國產內存製造商紫光國微在深交所互動平台上表示，目前國產DDR4內存晶元正在順利研發中，紫光國微預計今年底就可以將DDR4內存顆粒推向市場。

之前紫光國微副總裁杜林虎已經表示，未來紫光國微會在DRAM存儲器晶元產品方面加大投入，對於公司來說，DDR3內存晶元是主流，而DDR4晶元會在年內完成設計和生產。

紫光DDR4內存採用DIMM（U-DIMM）和SO-DIMM開發。U型DIMM是「SCQ04GU03AF1C-21P」、「SCQ04GE03AF1C-21P」，SO-DIMM的2個型號為「SCQ04GS03AF1C-21P」、「SCQ08GS13AF1C-21P」。

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