無視禁令，ASML瘋了？中國科研機構四大難題突破，最先進光刻機才賣給中國

今年以來，長江存儲從荷蘭ASML公司進口了一台光刻機，中芯國際也已從ASML公司訂購了一台7nm光刻機。很多網友不明白：不是有禁運協定嗎？

是的，禁運協定的確存在。然而隨著中國四大關鍵技術的研發成功，ASML公司不得不與上海微電子重新建立合作夥伴關係，並聲稱，從來沒有對中國出售最先進光刻機進行所謂的「禁運」，願意隨時給我國出口最高級的光刻機。

第一項關鍵技術的突破是在長春光機所和國防科技大學光學精密工程創新團隊等聯合攻關下，已成功研製了含有非球面光學元件的投影光刻曝光光學系統，滿足了光刻工藝要求的85nm極限曝光解析度的成果，並全面掌握了浸沒式28nm光刻機以及更高水平的光刻機曝光光學系統。

第二道難關的攻克是在我科學院光電研究院等承擔光刻機中的ArF準分子激光光源研發任務後，經9年努力，已完成國內首台 「65納米 ArF 步進掃描雙工件台光刻機曝光光源」製造任務和 「45納米以下浸沒式曝光光源研製與小批量產品生產能力建設」任務。以及20-40瓦90納米光刻機 ArF曝光光源批量化生產任務。

第三道難關在於是光刻機工件台，為將設計圖形製作到矽片上，並能在2～3平方厘米的方寸之地集成數十億隻晶體管， 光刻機工件台在高速運動下需達到2nm（相當於頭髮絲直徑的三萬分之一）的運動精度。

清華大學等單位經努力攻關，不僅做出了滿足90納米光刻需要的工件台，針對28至65納米光刻配套的雙工件台也已研製成功，使我國成為世界上第二個研製出光刻機雙工件台的國家。

第四道難關是光刻機浸液系統，進入65納米以下製程後，曝光光學系統已不能滿足需要，急需新的技術。我國浙江大學經多年研究，研製出浸液控制系統樣機，為我國浸沒光刻機的研製提供技術支撐。該項目研發成功後將推動國產光刻機一舉超越Nikon和Canon的光刻機，成為全球光刻機生產企業第二名。

有人認為我國半導體工藝提升不上去的原因，主要在光刻機被禁售。實際上，早在1971年，我國清華大學精儀系就成功研製出了「激光干涉定位自動分步重複照相機」，也就是前道步進光刻機原型。那時，現在的光刻機巨頭ASML還未創立，跟歐美光刻技術處於同一水平，進入80年代後，我國才被遠遠甩在了後面。

如今，以中微電子為代表的半導體企業和科研機構正在努力，相信十年內光刻機技術將站上世界領先地位，那時，我國晶元產業將迎來一片曙光。

喜歡這篇文章嗎？立刻分享出去讓更多人知道吧！