MRAM非易失性存儲獲IBM首肯：用於新款SSD做加速

計算機界一直在探索NVRAM（非易失隨機存取器），即在保留DRAM速度快、延時低（納秒級）優勢的情況下，做到永固數據。

目前基於NAND的SSD是向NVRAM過渡的產物之一，業內還有鐵電RAM（FRAM)、磁阻式RAM(MRAM)、電阻式RAM（ReRAM）以及Intel已經商用化的相變RAM（PCRAM）即3D Xpint技術形態。

MRAM近年來受到的關注度很高，Everspin（飛思卡爾子公司）開發完成後（STT-MRAM，自旋力矩轉移MRAM），三星、美光、高通、東芝等都在跟進。

MRAM與NAND的主要不同體現在結構原理，前者依賴的是不同的磁性取向來存儲信息（諾獎巨磁阻效應），後者則是電荷存儲信息，電荷存儲的主要問題是需要以較高的電壓完成寫入，且可靠性隨時間逐漸損耗。

對比之下，MRAM不僅可靠性/耐用性大大提升，同時依然可以維持納秒級的低時延。

據Anandtech報道，Everspin目前生產的MRAM單晶元是256Mb，年底將試樣1Gb（128MB），基於GF的22nm FD-SOI工藝。

與此同時，IBM宣布，將在今天開幕的快閃記憶體峰會上展示FlashCore系列新品SSD，容量19.2TB，基於3D TLC快閃記憶體（64層），主控為FPGA晶元，緩存用的是Everspin的MRAM，大小128MB。

IBM表示，FPGA主控配合傳統的DRAM不能提供更好的寫入加速，壽命很低，所以選擇了Everspin的MRAM。

這款SSD採用U.2介面，支持NVMe規範，可走PCIe 4.0通道。

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