法國Leti機構和硅製造代理服務機構CMP宣布推出全球首個採用集成矽片氧化物電阻存儲器的多項目晶圓服務

近日，法國原子能總署（CEA）旗下的電子信息技術研究所（Leti）與提供集成電路和微機電系統（MEMS）原型設計和小批量生產的服務組織CMP宣布，推出集成電路行業首個用於製造新興非晶體管的多項目晶圓（MPW）工藝，在200mm晶圓襯底平台上製造易失性存儲器OxRAM器件。

項目內容

MPW服務採用Leti的200mm CMOS生產線，旨在以低成本的方法實現小型化、高密度元器件的技術。Leti的集成硅存儲器平台包括含有顛覆性OxRAM（氧化物電阻RAM）技術的Leti存儲器先進演示器（MAD）未來掩模套件，用於後端存儲器和非易失性相關的嵌入式設計。新技術平台將基於HfO2/ Ti（鈦摻雜氧化鉿）活性層。

新興的OxRAM非易失性存儲器是在諸如微控制器或安全產品之類的高級節點以及用於AI加速器和神經形態計算的經典嵌入式存儲器應用上實現的有前途的技術之一。

Leti的MAD平台專用於高級非易失性存儲器，為材料和介面評估帶來了多功能性和穩健性，並允許從技術和設計角度深入探索存儲器性能。

平台亮點

130nm節點的200mm STMicroelectronics HCMOS9A晶圓

M1到M4層內所有布線均在ST晶圓上進行

Leti的OxRAM內存模塊是在頂部製造的

一級互連（即M5）和焊盤焊接均在在Leti的潔凈室中完成

Leti高級存儲器實驗室負責人Etienne Nowak說：「Leti在過去20年中積累了非易失性存儲器（NVM）器件的深厚專業知識，涵蓋快閃記憶體演進解決方案和顛覆性技術。這種MPW功能與我們的Memory Advanced Demonstrator平台相結合，基於廣泛的工具箱，可以與我們的合作夥伴進行定製研究，並提供不同NVM解決方案之間的標準檢查程序（benchmark）。」

集成硅OxRAM的MPW服務解決了高級內存開發的所有關鍵步驟。包括材料工程和分析、開發關鍵存儲器模塊、評估存儲器單元以及電氣測試、建模和創新設計技術等，以符合電路設計約束條件。該技術提供了包括布局、驗證和模擬功能在內的設計套件。設計庫提供有源和無源電光組件的綜合列表。設計套件環境與CMP的所有產品兼容。

項目意義

從Leti處運用非易失性存儲器是CMP開發工作的一項重大成就。自2003年以來，該組織即參與了一些國際和歐洲項目，來開發NVM技術（Mag-SPICE，Calomag，Cilomag，Spin和Dipmem）。通過這一新的提議，CMP用戶社區可以通過CMP和Leti之間的密切合作而運用該工藝。

CMP總監Jean-ChristopheCrébier說：「CMP擁有長期的經驗，可以讓小型企業獲得先進的製造技術，而且CMP社區對使用這種工藝設計和原型製造集成電路的興趣非常濃厚。對於法國、歐洲、北美和亞洲的許多大學、初創企業和中小企業來說，這是一個利用這項新技術和MPW服務的機會。」

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