國產廠商這次終於超過了三星海力士！長江存儲新技術讓性能翻倍

一直以來，NAND快閃記憶體的核心技術被三星、SK海力士、東芝等日韓廠商所控制。近年來手機存儲晶元、固態硬碟漲價很大程度上都源於此。而打破國產廠商在存儲晶元上的價格壟斷，依然要依靠國產存儲廠商的崛起。

近日在美國舉辦的Flash Memory Summit上，長江存儲正式公布了在3D NAND構架上的最新技術——Xtacking。它的主要特點是可以把外圍電路置於存儲單元之上，實現更高的存儲密度，從而大幅提升I/O介面的速度。據長江存儲表示，採用Xtacking技術的存儲晶元，I/O速度有望達到了3Gbps，和DDR4內存相當，而目前日韓廠商同類產品的速度為1Gbps左右。

值得一提的是，與此同時，SK海力士在Flash Memory Summit上宣布推出全球首款4D快閃記憶體，使用的是512Gb TLC顆粒，採用96層堆疊，最高容量可以達到驚人的64TB。和3D快閃記憶體相比，它的優勢在於更小的晶元面積和更快的讀取速度。不過，它的I/O速度依然只有1.2Gpbs。

需要指出的是，國產存儲廠商在核心技術方面和日韓老牌廠商相比依然有比較大的差距。如果國產廠商亦步亦趨地跟隨和模仿國外廠商的話，很難縮小差距和實現超越。此次，長江存儲推出全新的3D NAND架構Xtacking，就是一次彎道超車的嘗試。據稱，長江存儲已經把這項技術運用到對應的存儲產品中，預計明年開始量產，工藝製程為14nm。

當然，現在對國產存儲廠商來說，最重要的就是要能實現快速大規模鋪貨。即使這些產品在技術上落後於國外廠商，但在市場上也能對它們形成約束，如果價格上有優勢的話，還是有很多人樂於買單。但如果遲遲未能實現量產、進入市場的話，即使對國產存儲產品有熱忱和期望，想予以支持的用戶，也只能是有心無力。

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