SK Hynix宣布世界首個4D NAND快閃記憶體：96層堆棧，64TB容量

在這兩天的FMS國際快閃記憶體會議上，多家NAND廠商都宣布了新一代的3D NAND快閃記憶體技術，國內的紫光公司也首次公開了Xtacking堆棧技術，SK Hynix公司在FMS 2018會議上宣布了世界首個4D NAND快閃記憶體技術，這名字比現在的3D NAND快閃記憶體聽著更先進，堆棧層數達到了96層，TLC快閃記憶體類型，核心容量可達1Tb，U.2規格最高可做到64TB容量。

這次的FMS會議上，其實幾家NAND廠商的技術都有個共同點，那就是在繼續提高堆棧層數的同事儘可能提高NAND快閃記憶體的容量密度，減少外圍電路所佔的比例。SK Hynix的4D快閃記憶體其實也是3D NAND，它是把NAND快閃記憶體Cell單元的PUC（Peri Under Cell）電路從之前的位置挪到了底部，所以叫了4D NAND快閃記憶體，本質上其實還是3D NAND，4D NAND快閃記憶體有很強的商業營銷味道，不知道其他廠商會不會跟進。

SK Hynix有TLC及QLC兩種規格，首款產品是512Gb核心的TLC快閃記憶體，96層堆棧，I/O介面速度1.2Gbps，移動封裝尺寸為11.5x13mm2，可以取代兩顆256Gb晶元，同時性能相近，這個快閃記憶體預計在今年Q4季度開始出樣。

512Gb核心容量之外，下一步還有1Tb核心容量的TLC快閃記憶體，也是94層堆棧，IO速度1.2Gbps，BGA封裝面積16x20mm2，，單顆最大容量2TB，U.2規格下SSD硬碟最大64TB，這種快閃記憶體預計明年上半年出樣，

除了TLC類型還是QLC類型的，也是96層堆棧，IO速度也有1.2Gbps，核心容量能達到1Tb，SK Hynix的QLC快閃記憶體晶圓密度比TLC快閃記憶體高出20%以上，這種快閃記憶體主要用於取代HDD硬碟，預計明年下半年開始出樣。

晶元面積方面，V5 4D NAND快閃記憶體的面積比目前V4 72層堆棧的3D NAND快閃記憶體低了30%，生產效率可提升20%。

性能方面，V5 512Gb的4D NAND TLC性能比V4 72層的3D TLC快閃記憶體高了25-30%，能效提升150%。

未來的4D NAND快閃記憶體還會發展到V6代，堆棧層數提升到128層，更遠的未來還可以提升到2xx層甚至5xx層，不過這些就沒什麼時間表了

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