SK海力士的4D NAND與3D NAND區別在哪？
在美國快閃記憶體峰會（FMS）上，SK海力士公布了其未來快閃記憶體產品的技術發展路線圖。但在營銷相比現實情況有些跑偏，SK海力士已將新款快閃記憶體命名為「4D NAND」。這也意味著3D快閃記憶體系列增加了一個新規格，不過即便有其它一些現有快閃記憶體技術加入，但它看上去跟英特爾和美光開發的技術類似。
SK海力士新推出的4D NAND採用了電荷捕獲型設計，類似三星和WD/東芝生產的快閃記憶體。多年來SK海力士一直使用Charge Trap Flash（CTF，電荷捕獲型快閃記憶體）設計，因此不算新鮮，目前英特爾和美光是唯一兩家採用浮柵技術的快閃記憶體製造商。這兩家也計劃在其新一代快閃記憶體進入市場後獨立執行快閃記憶體開發工作。之後美光會採用自己的取代柵極技術（Replacement Gate），即簡單的Charge Trap Flash技術的品牌重塑。換句話說，英特爾很快就會成為唯一採用浮柵技術的快閃記憶體製造商。
那SK海力士的4D NAND與競爭「對手」3D NAND的區別是什麼呢？SK海力士稱其結合了自身CTF設計與Periphery Under Cell（PUC）技術。簡單來說，3D快閃記憶體由陣列和外圍電路兩個主要組件組成。與傳統3D NAND相同，SK海力士的陣列是垂直堆疊的層用於存儲數據，而外圍電路排列在單元邊緣。由電路控制陣列，但隨著NAND層的增加，它就會消耗晶元空間，增加複雜性與尺寸大小，由此增加產品的最終成本。
為了解決這一問題，SK海力士的4D NAND採用了PUC設計，將外圍電路放置在陣列之下而不是圍繞，來提高存儲密度，同時降低成本。然而，這與英特爾和美光首次推出第一代3D快閃記憶體設計相同，那邊稱之為「CMOS under Array」（CuA）。並且，三星也已經宣布其將來會轉向CuA型設計，因此這絕不能算是新技術了。
然後同樣也是在FMS上，長江存儲發布了自己的新型3D NAND架構——Xtacking。恩，技術也是類似，只不過Xtacking技術是將外圍電路置於存儲單元之上，從而實現比傳統3D NAND更高的存儲密度。如此還可以實現並行的、模塊化的產品設計及製造，產品開發時間縮短三個月，生產周期可縮短20%，從而大幅縮短3D NAND產品的上市時間。
因此，SK海力士重塑現有技術必然不會將NAND納入到第四維度。目前我們尚未看到這款新NAND如何發揮作用，但作為技術品牌的4D NAND更多像是一次瘋狂市場營銷。
除此之外，SK海力士的技術發展路線讓人印象深刻。其將在2018年第四季度對第一代4D NAND採樣。其中96層TLC快閃記憶體，面向SSD，其標準單晶圓（die）容量為1Tb，而面向BGA封裝SSD，其單晶圓容量為512Gb。
SK海力士還在開發QLC 4D NAND。2019年下半年，這種96層快閃記憶體「變體」才會上市，遠落後於其它要麼QLC產品發售，要麼今年上市的快閃記憶體製造商。目前為止，SK海力士看到了一條通往500層4D NAND的進擊之路，但未對這一產品設立時間線。
關於DOIT
DOIT是中國領先的科技新媒體，始於2003年，關注科技與數字經濟，洞察IT走向DT。
TAG:DOIT |