4D NAND技術，TLC 512GB海力士首發

最近的內存行業呢，大家關注度比較高的還是三星，東芝這些大佬們最近推出的各種黑科技。而作為內存三巨頭之一的SK海力士也沒閑著，在美國舉辦的Flash Memory Summit已經拉下帷幕，而這其中最值得一提關注度最高的還是全球首發的4D NAND技術！

這次SK海力士全球首發的4D NAND，讓我死不得不佩服三巨頭的研發實力啊，作為能跟三星掰手腕的半導體巨頭，這次4D NAND的發布讓海力士真是揚眉吐氣。我們大家都知道對於堆疊技術來說，QLC顆粒在堆疊空間上顯然是更好的，但是QLC顆粒的致命缺點也很明顯讀寫壽命並不可觀。而SK海力士的4D NAND技術不僅僅在QLC晶元上能運用，連TLC晶元也能分一杯羹！

這次的4D NAND技術，SK海力士方面說將會在年末推出第一款4D快閃記憶體，V5 512Gb TLC顆粒的96層堆疊技術，I/O速度能到達1.2Gbps，面積為13平方毫米。4D NAND和我們的長江存儲Xtacking有些相似，不過在工時時間，成本和晶元面積方面更為優秀。另外QLC的V5 4D明年下半年能出樣，也是96層堆疊，單疊最小1TB。

SK海力士目前對4D NAND掌握，在堆疊技術方面已經能達到128層，能做到512GB的單顆晶元，2025年SK海力士理論上來說能做到單晶元達到8TB！看著這些巨頭大佬們隔三差五秀黑科技，發新一代技術。在佩服的同時又有一點不甘心啊，希望咱們的國產內存晶元早日上市，打破這些巨頭們的技術壟斷！

（文中圖片均來源於互聯網）

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