存儲器大軍猛攻 長江存儲超車追趕 明年NAND Flash市場動蕩

2018年全球NAND Flash價格一路走跌，由於市場需求增長平緩，業者預期下半年將延續跌勢，隨著國際NAND Flash大廠紛紛加碼投資次時代技術堆疊，2019年QLC(Quad-Level Cell )NAND將邁入百家爭鳴時代，帶動消費性固態硬碟(SSD)容量快速升級至TB等級，加上長江存儲發布新一代3D NAND架構Xtacking，試圖超車追趕國際大廠，全球NAND Flash產量持續增加，戰火愈益激烈，2019年NAND Flash市場恐將大幅震蕩。

美光(Micron)與英特爾(Intel)於5月發布全球首款QLC 3D NAND技術SSD，宣告2018年進入QLC量產元年，目標市場鎖定數據中心應用領域。近期三星電子(Samsung Electronics)宣布將針對消費性市場推出QLC SSD產品，採用64層3D NAND堆疊生產，最大容量將達到4TB，後續將再推出企業用QLC SSD。

存儲器業者指出，2018年以來NAND Flash價格走勢疲弱，消費性市場搭載大容量SSD產品需求與滲透率持續成長，儘管QLC具有更高容量和成本優勢，然因單位體積容量增加與存儲密度增大，廠商要確保產品速度和性能水平並不容易，三星聲稱已可實現QLC SSD與TLC同等級的性能，未來高容量SSD擁有價格優勢，可望提升ODM廠商搭載意願，包括筆記本電腦(NB)搭載SSD主流規格將朝向1TB邁進。

由於SSD容量發展速度已明顯快於HDD，意味著SSD將加快取代HDD的腳步，尤其三星推出消費性QLC SSD搶市後，業界預期東芝(Toshiba)96層QLC 3D NAND亦可望跟進推出，2019年全球存儲器原廠QLC SSD產品相繼問世，存儲器模塊廠亦將推出新品上市，帶動SSD容量升級及價格競爭白熱化。

SK海力士則推出全球首款4D NAND TLC產品，晶元面積更小、處理工時縮短且成本降低，其採用96層堆疊技術，I/O介面速度為1.2Gbps，預計2018年第4季推出樣品，同時投入4D QLC研發，可望於2019年下半推出樣品。

值得注意的是，在國內發展存儲器國產化的聲浪下，長江存儲日前亦推出全新3D NAND架構Xtacking，首要特點在於大幅提升I/O介面速度，具備3D NAND多層堆疊的更高存儲密度，並可減少上市周期。

長江存儲指出，Xtacking可將I/O介面速度提升到3Gbps，相當於DRAM DDR4的速度，產品開發時間可縮短3個月，生產周期縮短20%，可加速3D NAND產品上市，Xtacking技術將應用於第二代3D NAND產品開發，預計2019年進入量產。

業界認為長江存儲積極超車趕上的態勢，加上第4季32層NAND將進入量產，2019年能否快速擴大量產及鋪貨將是觀察重點，即使目前長江存儲NAND技術仍落後國際大廠，但市場價格制約力量將逐漸形成，並為NAND Flash市場波動帶來新變數。

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