28nm工藝不落伍，聯電與Avalanche合作開發28nm MRAM存儲晶元

雖然台積電、三星以及Globalfoundries公司都會在今年底或者明年初量產更先進的7nm工藝，不過其他技術的工藝並不意味著就會淘汰，在半導體工藝節點上將會存在一些很長壽的製程，28nm工藝就是其中的一個，即便是台積電，28nm工藝帶來的營收依然是大頭，營收比例超過其他先進工藝。UMC台聯電也給自家的28nm找到了新的領域，他們宣布與美國Avalanche公司合作研發28nm工藝的MRAM存儲晶元。

MRAM磁阻式隨機存儲晶元是下一代存儲晶元的候選人之一，兼具非易失、高速度、高密度、低耗等各種優良特性，可說是集各種記憶體優點於一體的產品，因此被認為是電子設備中的理想存儲器。只不過這些指標還是理論上的，MRAM晶元離取代內存、快閃記憶體的日子還早著呢，但在物聯網、工業、汽車電子行業應用前景很廣泛。

美國公司Avalanche主要研發ST- MRAM (自旋矩磁阻RAM)技術，日前他們宣布與UMC聯電達成合作協議，共同研發MRAM晶元，同時聯電也將透過Avalanche的授權提供技術給其他公司，並透過授權提供客戶具有成本效益的28 奈米嵌入式非揮發性MRAM技術。

在28nm工藝之外，兩家公司還考慮將合作範圍擴展到28nm以下的工藝中去。

在聯電之前，台積電也宣布使用28nm工藝生產eMRAM及eRRAM晶元，預計2018年底試產。三星早前宣布4nm工藝時也提到了會針對物聯網市場推出28nm FD-SOI工藝，也會生產eMRAM存儲晶元。Globalfoundries之前公布的22FDX工藝也同樣針對低功耗的物聯網市場，也會推進eMRAM晶元研發生產。

國內的中芯國際也針對下一代存儲晶元布局了，去年初他們宣布已經出樣40nm工藝的ReRAM晶元，這種晶元密度比DRAM內存高40倍，讀取速度快100倍，寫入速度快1000倍，耐久度高1000倍，單晶元（200mm2左右）即可實現TB級存儲，還具備結構簡單、易於製造等優點。

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