誰才是未來的主角，新一代快閃記憶體打臉3D QLC NAND

2013年韓國三星宣布量產3D V-NAND。3D NAND的出現，使得單DIE快閃記憶體擁有了更大的容量，降低了快閃記憶體成本，提升了生產效能。因此3D NAND技術成為了2013年至今，全球快閃記憶體廠商研究和發展的主要方向。然而在全世界幾乎所有快閃記憶體廠商都在研究3D NAND層數，甚至在炒QLC的剩飯時，個別快閃記憶體廠商卻改換了思路，並使得快閃記憶體技術獲得了突破性的發展。

8月7日在美國的Flash Memory Summit峰會上，海力士推出了業內第一款4D NAND：V5 512Gb TLC。這款快閃記憶體採用96層堆疊、I/O介面速度1.2Gbps（ONFi 4.1標準）、面積13平方毫米，預計今年Q4季出樣。海力士的4D快閃記憶體預計單DIE BGA封裝可做到2TB，做成固態硬碟最大容量可達到64TB。海力士V5 4D晶元面積相較於V4 3D減小20%、讀速提升30%、寫速提升25%。SK海力士稱，4D NAND採用了CTF（Charge Trap Flash，電荷捕獲型）比Floating Gate（浮柵型）存儲單元面積更小、速度更快、更耐用（P/E次數多）,該技術和長江存儲的XtackingTM技術相似。

幾乎在海力士發布了4D NAND的同時，長江存儲也發布了新一代快閃記憶體，新一代快閃記憶體採用了XtackingTM技術。長江存儲稱XtackingTM技術只需一個處理步驟就可通過數百萬根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。而利用XtackingTM技術，快閃記憶體有望大幅提升NAND的I/O速度，使得I/O速度能夠達到3.0Gbps，這比現在的3D NAND的速度快2-3倍。長江存儲表示，預計XtackingTM快閃記憶體將有望在2019年實現量產。這意味著我國在新一代快閃記憶體技術上已經走到了世界的前沿，我國快閃記憶體製造行業有望在未來實現彎道超車。我國快閃記憶體製造這麼給力，讓國內固態硬碟製造行業、固態硬碟消費市場看到了打破壟斷、國產替代的希望。

前一段時間全球各大快閃記憶體廠商量產96層3D QLC NAND的消息鬧得沸沸揚揚。結果才一個星期不到，4D NAND、XtackingTM反手就是一耳光，告訴了96層3D QLC NAND，誰才是未來的主角。

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