SSD相對TLC顆粒，它僅能提高1/3的存儲密度，而壽命卻縮短了將近10倍！

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今年7月，東芝與西數率先宣布了96層堆疊3D QLC快閃記憶體技術，單晶元就能做到1.33Tb（也就是166GB），單個封裝可以做到2.66TB的驚人容量。做成2.5寸的SSD，容量要達到10TB也不是很難的事情。

隨後，Intel和三星也展示了同樣是96層堆疊的3D QLC快閃記憶體技術，存儲密度上也是遠比原有的TLC快閃記憶體產品更加優秀。一時間QLC似乎成為各大廠商的主流，大容量的SSD難道已經觸手可及了？雖然商家一直在誇3D QLC的好處，但是消費者對於QLC 快閃記憶體並不買賬，很多人質疑其可靠性以及性能相比MLC和TLC倒退太多，難堪大用。

要知道SLC每Cell（賽爾）只能存放1bit數據，電壓只有0、1兩種變化。由於結構簡單，使得可擦寫壽命達到了10萬次MLC每Cell可以存放2bit數據，相同面積下可以做出2倍於SLC的容量，但是有00、01、10、11四種電壓變化，相比SLC需要更複雜的的電壓控制，加壓過程用時也變長，因此在可靠性上只有SLC的1/10。目前的MLC產品可擦寫測試通常在3000~10000次之間，讀寫速度也降到了SLC快閃記憶體1/3的樣子。TLC每Cell可以存放3bits數據，相同面積下，容量可以比MLC提高50%，但是卻有8種電壓變化，可靠性進一步降低，一般在300~1000次之間。寫入速度不到SLC的1/10。而QLC呢？QLC每Cell可以存放4bits數據，相比TLC，存儲密度又提高了33%，但是電壓變化卻有16種之多，導致可擦寫壽命僅有100~150次。單Cell的讀寫速度目前沒有廠商公開資料，預計相比TLC還要進一步降低。

雖然目前各大廠商都在積極推出QLC顆粒的SSD產品，但實際上，相對TLC顆粒，它僅能提高1/3的存儲密度，而壽命卻縮短了將近10倍！

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