我國研製高器件響應值的多電極結構石墨烯太赫茲探測器

石墨烯太赫茲探測器受限於材料的低開關比和弱飽和特性，難以在太赫茲波段獲得較高的器件響應。基於熱電子原理的石墨烯器件具有較寬波段的吸收能力，有望突破基於傳統混頻原理對器件製備工藝的嚴格要求，有利於大面積的器件集成。

在國家重點研發計劃項目支持下，中國科學院上海技術物理研究所、紅外物理國家重點實驗室陸衛、陳效雙、王林、陳剛及合作者們避開了傳統器件的設計思路，採用四端電阻結構實現對不同器件的電極互連（如圖所示），研究發現了通過電極之間的互連產生類似於三極體的器件開關性能。同時，研究人員通過電極之間的偏壓效應產生石墨烯溝道的非對稱光電流，在偏壓作用下器件光電流呈現出線性上升的趨勢，產生光電流增益，對應器件響應出現數量級的提高。此外，研究表明石墨烯和金屬接觸位置的局域場可以驅動非平衡載流子，誘導石墨烯溝道載流子分布的變化，在偏壓場作用下器件產生光電導效應，器件響應可以達到280V/W，為當前國際報道的最高值。該項研究工作將為實現攜帶型成像系統、人體醫學太赫茲表徵設備的核心器件提供嶄新的途徑，該項研究工作於2018年4月18日發表在NPG Asia Materials雜誌上。

圖. 四端電阻結構器件及其偏壓場誘導極性反演光電流增強現象

（來源: 科技部）

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