國產晶元技術新進展，紫光趙偉國：2019年將量產64層128Gb 3D NAND

今日，紫光集團董事長趙偉國透露，紫光將在2018年底量產32層64Gb的3D NAND，2019年量產64層128Gb的3D NAND，並同步研發128層256Gb的3D NAND。

就目前中國在NAND Flash晶元技術上的發展而言，雖然相較於三星、東芝/西部數據、美光、SK海力士等國際大廠在2019年量產96層3D NAND，紫光量產64層3D NAND落後一個技術等級，但彌補了中國在NAND Flash晶元自主研發領域的空白。

另外，長江存儲（YMTC）發布了突破性技術—Xtacking，使得產品開發時間縮短三個月，生產周期可縮短20%，NAND I/O速度大幅提升到3.0Gbps，比傳統3D NAND擁有更高的存儲密度。

同時，紫光存儲向全球發布了企業級NVMe 產品P8160、P8130、企業級SATA SSD產品S6110、消費類NVMe SSD產品P5120、渠道SATA SSD產品S100、渠道NVMe SSD產品P100、嵌入式產品eMMC、UFS全系產品，滿足大數據和本土市場存儲需求。

趙偉國表示，紫光正在努力布局晶元行業，且已落戶重慶。2017年包括手機晶元在內，數量上已經是全球第三。紫光每年還生產6、7億套的智能卡，這個領域紫光份額第一。同時，紫光在專用CPU領域也有布局。

在營收方面，趙偉國預計，2018年紫光在雲網方面的收入將達到600億，集成電路方面的收入200億，網路和計算方面的收入大概會達到400億。

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