投資晶元股前，你要看懂存儲晶元
聲明：本文提到的觀點只用於總結、學習與討論，不作為投資建議。
上一篇文章中主要從宏觀的角度梳理了集成電路（晶元）產業的投資邏輯，其中提到了集成電路（晶元）行業的風向標存儲晶元，對於投資者來說，想分析晶元行業必須要對存儲晶元有足夠了解，為此，我專開一篇專欄，來細細分析一下這個晶元領域的中流砥柱。本文力爭將高深的專業知識簡單化、通俗化。
什麼是存儲晶元
存儲晶元，顧名思義就是應用在存儲領域的晶元。存儲晶元可簡單分為快閃記憶體和內存，快閃記憶體包括 NAND FLASH 和 NOR FLASH。NAND FLASH最常見的就是手機的存儲卡，電腦的固態硬碟和U盤。內存主要為 DRAM，伺服器、手機和PC終端都要用。NOR FLASH主要用於一些低端設備和物聯網領域。其中，DRAM 約佔存儲器市場 53%，NAND Flash 佔42%，而 NOR Flash 僅占 3%左右。
為什麼說存儲晶元是晶元產業的風向標
第一，從終端產品銷售額看，2017年存儲晶元占集成電路產品市場銷售額的36.1%,佔到全球半導體市場銷售額的 30.1%，超越歷年佔比最大的邏輯電路，排名第一，且根據預測，前兩名差距將逐步拉大。
第二，從資本支出看，也就是為了製造出存儲晶元所運用產業資源的多少。2017年的數據是，存儲晶元的資本開支加在一起，佔到整個產業的40%。不僅如此，集成電路整個產業資本支出800億美元，同比增長20%，而存儲晶元資本支出320億美元，同比增長遠超行業，達到40.5%。也就是說在存儲晶元領域的資源佔用還處在增長趨勢中。
第三，從技術迭代角度看，隨著存儲晶元的更新換代，半導體製造設備如光刻機、腐蝕機和一些晶元製造技術也要順應其要求不斷技術迭代，存儲晶元很大程度引導了半導體和集成電路領域的技術發展。
第四，從產業鏈角度看，集成電路整個行業是一個產業鏈，包括晶元設計、晶圓（晶元原材料）製造、晶元製造和晶元封測。存儲晶元終端景氣度提升，傳導到整個集成電路行業的景氣度都跟隨提升。2010年-2017年的這八年集成電路的高景氣就主要受存儲晶元增長驅動。
其實不僅如此，存儲晶元的景氣很大程度來源於下游終端需求的上升，其他類別的晶元需求同樣來源於這些下游領域，從這點也可以看出存儲晶元與產業鏈之間的關係。
正是上面這四點，奠定了存儲晶元在集成電路領域的風向標地位，其地位越來越重要。所以如果想研究判斷整個集成電路（晶元）行業的景氣度，看存儲晶元的景氣度如何就好了。
存儲晶元仍將保持高景氣度
2017年DRAM平均售價同比上漲77%，銷售總值達 720 億美元，同比增長 74%，NAND Flash平均售價同比上漲 38%，銷售總額達 498 億美元，同比增長 44%,NOR Flash 為 43億美元，三者共同導致全球存儲器總體市場上揚增長 58%。從這個數字上看，存儲器市場出現大規模增長很大程度上是由於DRAM和NAND Flash市場的快速增長。那我們來聚焦這兩個市場，來看看他們未來的趨勢走向。
DRAM市場：
需求端：
手機內存需求下滑趨勢可能還要延續。據IDC統計數據，二季度全球智能手機出貨來量同比下滑1.8%，中國市場智能手機出貨量同比下滑7%，連續四個季度下滑，這種緩慢下降趨勢未來可能會成為常態。
PC端需求量2018年第二季度雖出現六年來首次增長，但現在談PC端的復甦還為時尚早。
最有亮點的是在DRAM領域佔比24%的伺服器，受益於大數據的發展，2018年第一季度全球伺服器增長38.6%。根據數據預測，受此影響，伺服器存儲市場有望增長36%。這塊的存儲需求未來有望持續高增速發展。
還有一塊潛在的巨大增長需求，隨著新一代信息化浪潮的到來，物聯網、區塊鏈、汽車電子、5G和AI等新一代技術終端將爆發大量存儲設備需求。
根據美光預計 2017-2021年， DRAM 需求複合年增長率將達 20%。
供給端：
受益於2016年-2017年的DRAM漲價，DRAM 三大廠紛紛擴充產能，2018 年新增 5-7%的產能將於下半年開出。且隨著我國廠商DRAM產能的不斷投放，供給端壓力將增大。
總體看，2018年，市場的DRAM價格出現高位盤整格局，未來供需偏緊局面改善，價格可能會出現下滑，但考慮到需求端的上升，DRAM整體市場規模增長可期。
NAND Flash市場：
需求端：
手機存儲從16G到128G甚至256G的升級趨勢不會改變，但手機出貨量的悲觀預期可能影響NAND Flash在移動端的需求。
PC端的固態硬碟出貨量連續8年兩位數增長，今年的SSD出貨量預計將繼續增長30％至1.582億台，隨著固態硬碟滲透率不斷提升，這塊的需求增長無虞。
再有就是之前說的新一代技術對快閃記憶體設備的需要將對NAND Flash的需求構成強勁支撐，我們一定不要質疑新技術對需求端帶來的巨大影響。根據美光預測， 2017-2021年，NAND 位需求複合年增長率將達 40-45%。
供給端：NAND Flash價格自2015年翻倍後，主要國外廠商都在2017年進行了擴產，現在市場產能不缺。同樣未來兩年中國的新增產能也將上線，供給端壓力較大。
總體看，2017年中旬開始NANDFlash就開始下跌，市場供過於求局勢短期難以改變，但降價有望帶來終端需求的上升，加上新技術的巨量新增需求，短期NAND Flash市場雖然不太樂觀，但長期看絕對值得期待。
剛才分析了存儲晶元的兩大主力DRAM和NAND Flash未來的供需、價格和市場規模，大概就可以看出存儲晶元市場的情況。總體看，這塊的市場規模未來幾年一定不會出現像前兩年大幅增長的情況，但保持可觀的增速還是可以預期的。
一葉知秋，作為晶元行業風向標，晶元領域的情況也大致可以勾勒出來，傳統需求端保持平穩，未來幾年受益於新技術終端需求的上升，晶元行業仍將保持高景氣度。
中國存儲晶元的國產替代
可能性到底有多大？
其實大家一直都知道，存儲晶元國產替代的空間到底有多大，之前也列出過數據，我們的存儲晶元國產化率基本都在5%以內。要把國外這塊的份額拿走，拿走一點就足以使一家企業賺得盆滿缽滿了。
但大家和市場一直對中國企業能否拿走存儲器市場份額抱著懷疑，也就是能不能國產替代的問題。那麼我們再來分析一下。
第一個是能不能造出來的問題，這個問題的答案現在是YES了。
首先是DRAM，上市公司紫光國微已經量產出DDR、 DDR2 和 DDR3，之前傳的DDR4雖然是個烏龍，但公司稱將於今年年底完成研發。
然後是NAND Flash，上市公司兆易創新的 NAND Flash 產品容量最高可到 32GB， 自研 38nm 產品已實現量產， 24nm 研發推進順利。再有就是長江存儲，公司2017 年 2月宣布與微電子所聯合研發的 32 層 3D NAND Flash 晶元順利通過測試，預計 2018 年底投產。最後說NOR Flash，兆易創新的 NOR Flash 高容量 256Mb 產品已經實現量產， 55nm 和 45nm 技術正在研發。公司目前的NOR Flash已經完成進口替代，2016年在全球市場佔有率已經達到7%。
很多人鼓吹說中國沒有存儲器技術，但其實在某些領域，我們的存儲晶元已經在進口替代的過程中了，我們的技術實際上已經完成了突破。
第二個大家的疑問就是產品能不能賣出去，實打實的對上市公司的業績帶來影響。很多人說，一個產品賣得好不好，一看性能質量，二看價格。就算是國產存儲器能夠使用，由於工藝、良率、技術水平、議價能力等問題，性能質量和價格根本沒法和國外巨頭相比。但我認為，在國產存儲晶元領域，這些不是賣不出去的理由。
在之前的文章中也提到，中國與國外在晶元領域的差距實際上不是技術的差距，而是市場化的差距。但中國這個國家，在市場化落後的領域，經常上演超車的戲碼，其秘密武器就是政策支持和產業保護。
在今年5月的時候，政府新一輪的政府採購徵求意見公告中，將龍芯、申威、飛騰等國產CPU都被列入了政府採購名錄。可以想見，如果國產存儲器實現量產，國家也必然會大力支持，未來買國產晶元的企業也會有補貼的，所以產品是不愁賣的。
總結
就像之前說的，很多人說的都對，中國存儲晶元的技術工藝、產品的性能質量和價格，目前都和國外巨頭有很大差距。但投資存儲晶元股，看的是這些上市公司能不能有機會佔領一定的市場，從而實現業績增長，哪怕是從低端市場開始，這都不影響，只要前景是好的。這不光是投資存儲晶元的邏輯，也同樣是投資晶元產業的邏輯。
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