全球半導體支出將首次突破1000億美元大關，廠商瘋狂投資內存風險高企

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IC Insights預測，今年半導體資本支出總額將增至1020億美元，存儲IC支出佔比達53%。存儲歷史教訓表明，過多的支出通常會導致產能過剩和隨之而來的價格疲軟。

文｜樂川

校對｜小北

圖源｜IC Insights

集微網消息（編譯/樂川），IC Insights預測，今年半導體資本支出總額將增至1020億美元，這是該行業年均支出總額首次超過1000億美元。今年1020億美元的支出水平比2017年的933億美元增長了9%，比2016年增長了38%。預計存儲器IC佔2018年半導體支出的53%，其中，快閃記憶體占資本支出的份額最大，而DRAM資本支出今年將以最高的速度繼續增長。

如圖所示，超過一半的行業資本支出預計用於內存尤其是DRAM和快閃記憶體生產，包括對現有晶圓廠產線和全新製作設施的升級。總的來說，預計今年內存將佔到半導體資本支出的53%，達到540億美元。用於存儲器件的資本支出比例在六年內大幅增加，幾乎在2013年27%佔比（147億美元）的基礎上翻了一番，2013~2018年複合年增長率相當於達到30%。

從具體產品類別來看，預計DRAM/SRAM的支出增幅最大，但預計用於快閃記憶體產品的支出占今年的最大比例，如下圖。預計2018年DRAM/SRAM市場的資本支出將在2017年強勁增長82%以後再次達到41%的增長幅度，而今年快閃記憶體支出繼2017年增長91%之後也將再次增長13%。

經過連續兩年的資本支出大幅增長，半導體廠商眼下面臨一個迫在眉睫的問題，即高水平的支出是否會導致產能過剩和價格下降。存儲歷史教訓表明，過多的支出通常會導致產能過剩和隨之而來的價格疲軟。三星、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數據、SanDisk和長江存儲等廠商都計劃在未來幾年內大幅提升3D NAND快閃記憶體容量，還將有中國大陸其他新的內存廠商加入這一大軍。IC Insights認為，未來3D NAND快閃記憶體市場需求過高的風險不斷高漲。

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