中國廠商倒逼提速96層3D NAND快閃記憶體競爭！SK海力士將於明年初提前量產

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SK海力士在清州建設M15工廠的建成儀式將於9月17日在清州舉行。SK海力士計劃通過從明年初開始增產96層3D NAND快閃記憶體的策略，來鞏固其市場主導地位。

文｜茅茅

校對｜叨叨

圖源｜網路

集微網消息，SK海力士已投資15萬億韓元（約135億美元）在清州建設M15工廠，主要生產72層和96層3D NAND快閃記憶體。據外媒報道，隨著M15工廠的建成，SK海力士將加速大規模生產第五代96層3D NAND快閃記憶體。

報道稱，紀念工廠的建成儀式將於9月17日在清州舉行。SK海力士計劃通過從明年初開始增產96層3D NAND快閃記憶體的策略，來鞏固其市場主導地位。

據悉，為應對3D NAND市場的巨大變化，SK海力士M15工廠的建成完工比原計劃提前了近6個月。半導體行業分析師表示，「三星電子7月份開始已批量生產96層3D NAND快閃記憶體，而東芝和美光計劃也將效仿。SK海力士的完工日期提前，部分原因是中國公司在3D NAND快閃記憶體市場的積極宣傳。」

與DRAM不同，3D NAND快閃記憶體是非易失性存儲器半導體，即使在電源關閉時也不會丟失數據。外媒稱，大規模生產96層3D NAND快閃記憶體不僅證明了SK海力士的先進技術，也將有助於擴大SK海力士在3D NAND市場的份額。

除此之外，96層3D NAND快閃記憶體的批量生產也可以使SK海力士的盈利結構更加平衡。去年，SK海力士在DRAM領域的營業利潤占其總營業利潤的90％，其中NAND部門的份額不到10％。相比之下，三星電子的DRAM營業利潤佔63％，NAND業務佔32％。

從目前來看，韓國、日本和美國的半導體存儲器公司在96層3D NAND快閃記憶體的競爭將進一步加劇。其中，東芝於今年6月宣布，已完成與西部數據的96層3D NAND快閃記憶體技術研發，東芝預計最遲將在今年年底或明年年底生產96層3D NAND快閃記憶體；此外，美光計劃通過與英特爾的技術合作，在今年完成96層3D NAND快閃記憶體技術研發。

值得一提的是，中國的長江存儲在3D NAND快閃記憶體方面也已經取得了重要突破。紫光集團聯席總裁刁石京曾透露，中國首批擁有自主知識產權的32層3D NAND快閃記憶體晶元將於今年第四季度實現量產。此外，64層3D NAND快閃記憶體晶元研發也在緊鑼密鼓地進行，計劃2019年實現量產。

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