SK海力士清州M15廠加速竣工，96層3D NAND可望明年Q1量產

SK海力士(SK Hynix)正在興建中的清州M15廠，預計最快9月中旬完工並舉行竣工儀式，顯示SK海力士正加速量產第五代堆疊96層3D NAND。預計2019年初起，堆疊96層3D NAND成品將向客戶交貨，SK海力士NAND Flash市場主控權可望獲得強化。

綜合首爾經濟等多家韓媒的報導，SK海力士清州M15廠建物及無塵室工程已告一段落，SK海力士方面計劃，9月中旬舉行M15廠竣工儀式，因應NAND Flash市場變化，M15廠完工其實較當初規劃時程，提前6個月左右。

稍早7月，三星電子(Samsung Electronics)宣布量產第五代3D NAND，表示產品堆疊高度超過90層，此外東芝(Toshiba)、美光(Micron)等，也相繼宣布將量產堆疊96層3D NAND，甚至大陸業者正加速發展3D NAND，SK海力士因此加快產品量產與研發進度。

SK海力士斥資15兆韓元(約134億美元)興建的清州M15廠，預計生產堆疊72層與堆疊96層3D NAND，目前堆疊96層3D NAND，可說是業界最高技術規格。SK海力士2016年第2季量產第二代、堆疊36層3D NAND，2016年第4季量產第三代、堆疊48層3D NAND，2017年第3季量產四代、堆疊72層3D NAND。

如以2018年第1季為基準，全球NAND Flash市場仍以三星為首，市佔率約38%，其次為東芝的19%，SK海力士市佔排名第五，市佔率為10%，加速量產製程更先進的產品，有助於SK海力士拓展市場。綜觀SK海力士存儲器事業高度依賴DRAM，營業利益9成來自DRAM，相較三星DRAM營業利益佔比為6成，所以強化與拓展NAND Flash市場，將有助於SK海力士達成一個更為均衡與安全的事業結構。

韓國、美國及日本NAND Flash業者，相繼投入堆疊96層3D NAND競爭，戰火日趨白熱化。東芝2017年6月與西部數據(WD)，共同開發堆疊96層3D NAND技術已告完成，東芝最快將於2018年內量產堆疊96層3D NAND。美光也與英特爾(Intel)合作堆疊96層3D NAND計劃，預計將於2018年底前告一段落。

事實上，至今SK海力士無論是在第五代3D NAND，或是10納米級DRAM，三星後方快速追趕者的形象揮之不去。儘管稍早提出差異化戰略，但市場浮現供給過剩隱憂。目前NAND Flash供給過剩可能性較DRAM高，預料將影響眾業者2019年NAND Flash獲利表現。

另一方面，韓國業界人士表示，2018年第4季SK海力士DRAM平均供應價格可能下滑4%，2019年再下滑10%，不過SK海力士可望透過轉進先進位程、降低生產成本，減少價格下滑影響。

SK海力士預計9月17日舉行清州M15廠竣工儀式，不過該日期也可能因行程而變更。韓國業界指出，SK集團(SK Group)會長崔泰源應該會親自出席M15廠竣工儀式，再度強調SK海力士與競爭對手不斷拉大差距的超隔差戰略。

來源：DIGITIMES

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