為了應對內存、快閃記憶體晶元降價 三星等產生或推遲產能擴張

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為了應對客戶需求放緩導致的2019年上半年內存、快閃記憶體晶元降價，三星、SK Hynix兩家韓國公司打算推遲產能擴張，暫停新工廠擴產計劃。

業內人士的消息稱三星、SK Hynix都打算推遲產能擴容計劃，因為客戶需求放緩導致DRAM內存及NAND快閃記憶體價格在2019年上半年下滑。

消息人士稱全球NAND快閃記憶體在今年Q3季度中依然處於供過於求的狀態，儘管這是傳統旺季。供應商持續增加64層及72層堆棧的3D NAND快閃記憶體產能，再加上已經飽和的筆記本、智能手機市場導致的需求增長有限，這些都是NAND降價的原因。

此外，消息人士還提到市場上海充斥著不合格的NAND快閃記憶體晶元，這對快閃記憶體晶元價格進一步產生負面影響。Q3季度中NAND快閃記憶體價格可能會下跌10-15%，Q4季度中價格還會再降15%。

內存方面，DRAM合約價也出現了下跌跡象，消息人士稱隨著供過於求，預計Q4季度內存晶元價格也會開始下跌。

NAND快閃記憶體及DRAM內存價格將在2019年上半年遇到下行壓力。

消息人士稱，行業領導者三星之前主要為自家的SSD及其他產品供應3D NAND快閃記憶體，今年Q3季度開始對外提供存儲晶元。消息人士稱三星也在放慢3D NAND快閃記憶體產能擴張的計劃，新產能不可能在2019年上半年上線。

此外，三星還被曝暫停在了韓國華城和平澤工廠為1ynm工藝的DRAM晶元增加新的產能的計劃，原本三星計劃在Q3季度增加每月3萬片晶圓的產能。

消息人士稱SK Hynix也計劃放慢新的3D NAND晶元產能擴張的計劃的步伐。

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