新增8納米LPU!三星更新技術線路圖,更多黑科技被曝光
日前,三星在日本舉辦了三星鑄造工廠論壇2018年會,在會上公布了多項製程工藝技術,讓人耳目一新。
在會上三星透露,7納米工藝會在接下來的幾個季度內大規模量產,同時三星將會引入8納米 LPU工藝,最後是三星已經針對3納米工藝進行布局,將會使用一種全新的GAAFET技術來實現3納米製程工藝。
三星表示,已經在韓國的工廠中配備了多台ASML Twinscan NXE:3400B EUV光刻機,價值6萬億韓元的EUV產線也預計2019年竣工,將會在2020年開足馬力全力生產。
值得注意的是,因為此前三星的7納米工藝跳票,所以高通的下代旗艦晶元將會由台積電進行代工,讓三星損失慘重。不過三星表示高通的5G SoC(並非驍龍855)將會由三星負責代工,但這也是後話了。
8納米LPU工藝的到來或許會讓人感到意外,三星表示這是8納米LPP工藝的改良版,這時候推出新工藝是為了填補7納米工藝大規模量產之前的空窗期,而高通也會是8納米LPU工藝的客戶之一,估計未來的6系列和7系列晶元會使用這一製程工藝。
在三星的計劃表中,已經確定將會在2019年利用FinFET技術,對5納米和4納米工藝進行風險試產。但由於到了3納米工藝的時候,FinFET技術已經無法滿足需要,所以將會轉用新研發的GAAFET技術方案,3納米工藝將會在2020年進行試產。
根據摩爾定律,半導體行業的集成度不斷飛升,但到了現在已經進入了瓶頸期。如果在材料和技術方面無法取得突破,那麼製程工藝在長時間內很可能會止步不前。
說個題外話,雖然三星的工藝已經開始向3納米探索,但英特爾的晶元工藝卻依然停留在10納米。話雖如此,同樣是10納米工藝,英特爾晶元的集成度幾乎是三星的一倍,所以能效也領先許多。
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