三星否認需求不足致內存降價：內存需求沒有重大變化

來源：內容來自「Expreview超能網」，謝謝。

NAND快閃記憶體價格由漲轉跌不同，2018年內存晶元價格依然居高不下，不同的是今年Q1、Q2季度內存價格漲幅有所下降，漲價幅度只有5%左右，而Q3、Q4季度內存價格普遍被看跌，主要是因為市場需求不足，尤其是是智能手機旺季不旺，而最近因為英特爾14nm產能不足導致PC市場需求雪上加霜，集邦科技認為Q4季度內存及快閃記憶體價格要比預期降價更多。

對於內存晶元需求不足可能導致內存降價的消息，三星主管存儲晶元、代工等業務的CEO金奇男表示今年底內存需求沒什麼重大變化，2019年內存晶元需求還會繼續強勢，從側面否認了內存晶元降價的可能。

韓國媒體報道稱，三星電子副總裁設備解決方案部門CEO金奇男日前出席公司活動時接受了記者採訪，被問到內存晶元需求下降的問題，他表示「至少今年Q4季度之前，內存晶元市場需求不會有什麼重大變化。」

那麼2019年的內存市場的強勁需求是否會結束呢？金奇男預測明年的內存市場需求依然會很強勁。

三星電子今年Q2季度晶元業務運營利潤達到了102億美元，同比增長了44%。

在三星否認內存需求下降的同時，高盛銀行及Stifel Nicolaus等投行紛紛警告內存晶元市場將會惡化到2019年，認為DRAM內存及NAND快閃記憶體內存基本面成長疲軟，此舉導致美光股價連續下跌，本周內股價下跌了12%。

為了應對內存及快閃記憶體晶元降價，之前Digitimes援引業內人士的消息稱三星、SK Hynix都打算推遲產能擴容計劃，三星據傳暫停在了韓國華城和平澤工廠為1ynm工藝的DRAM晶元增加新的產能的計劃，原本三星計劃在Q3季度增加每月3萬片晶圓的產能。

喜歡這篇文章嗎？立刻分享出去讓更多人知道吧！