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英特爾大連工廠二期投產:主要生產96層3D NAND

9月21日,Intel大連非易失性存儲二期項目投產啟動儀式在大連舉行。2006年7月,Intel與大連市政府達成總發展協議,隨後建設了佔地面積60公頃的的英特爾半導體(大連)有限公司,用於邏輯晶元的研發生產。

2015年10月,Fab 68二期項目落地,投資55億美元(約合380億人民幣),主要用來生產NAND快閃記憶體晶元,如今不到三年就順利實現建成投產,創造了Intel工廠建設歷史的新紀錄。

在啟動儀式上,Intel宣布新工廠將採用世界最先進的96層堆疊3D NAND快閃記憶體晶元製造技術實現量產。

據悉,Fab 68工廠未來將成為Intel NAND快閃記憶體的最核心生產基地,會貢獻大約70%的產能。

目前的全球NAND快閃記憶體市場上,三星以37%的份額遙遙領先,然後是東芝、西數、美光、SK海力士,Intel則還不到10%,其固態存儲產品也主要集中在企業級、數據中心市場上,消費級領域基本已不見蹤影。

來源:快科技

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