英特爾大連工廠二期投產：主要生產96層3D NAND

9月21日，Intel大連非易失性存儲二期項目投產啟動儀式在大連舉行。2006年7月，Intel與大連市政府達成總發展協議，隨後建設了佔地面積60公頃的的英特爾半導體(大連)有限公司，用於邏輯晶元的研發生產。

2015年10月，Fab 68二期項目落地，投資55億美元（約合380億人民幣），主要用來生產NAND快閃記憶體晶元，如今不到三年就順利實現建成投產，創造了Intel工廠建設歷史的新紀錄。

在啟動儀式上，Intel宣布新工廠將採用世界最先進的96層堆疊3D NAND快閃記憶體晶元製造技術實現量產。

據悉，Fab 68工廠未來將成為Intel NAND快閃記憶體的最核心生產基地，會貢獻大約70％的產能。

目前的全球NAND快閃記憶體市場上，三星以37％的份額遙遙領先，然後是東芝、西數、美光、SK海力士，Intel則還不到10％，其固態存儲產品也主要集中在企業級、數據中心市場上，消費級領域基本已不見蹤影。

來源：快科技

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