NAND產業投入大，美光專註於第四代3D NAND和QLC SSD發展

2018年9月19日，中國快閃記憶體市場峰會（CFMS2018）在深圳華僑城洲際酒店隆重舉行，本次峰會是由深圳市快閃記憶體市場資訊有限公司主辦，彙集了國內外存儲屆重量級企業，諸如三星、英特爾、美光、西部數據、江波龍、英偉達等, 各行業的領頭者匯聚一堂進行了存儲技術最前沿的報告和交流。

美光集團作為NAND Flash晶元最重要的供應商之一，通過不斷的研發投入和技術積累，始終為客戶提供優秀的存儲方案。此次中國快閃記憶體市場峰會上，美光集團副總裁, Dinesh Bahal先生也應邀出席,並在會上作了以《美光3D先進技術與市場應用》為主題的演講。

Dinesh Bahal先生的演講首先回顧了美光集團成立之初的願景, 那就是在數據和信息爆炸的時代, 用更好的存儲的解決方案提高生活和工作效率。美光作為一家存儲公司, 已經歷了40年的發展歷史, 從1978年建立，到1979年推出了世界上最小的一款64K的DRAM，再到2018年推出業界第一款1Tb Die堆疊的QLC SSD, 美光已經具備了全面的存儲產品序列, 並能夠將最完美的解決方案交給客戶。

Dinesh Bahal先生還提到了在NAND發展過程中遇到的技術挑戰, 早期bit數增長率可以達到130%~140%, 近些年的bit增長率基本平穩的維持在40%的水平。如果從歷史沿革的角度來說，早期要達到80%的bit的增速，需要80億人民幣。但是今後如果要達到40%—45%bit增長值，整個行業的投資基本要達到250億美元才能夠做到，所以我們可以看到，隨著技術的革新和發展，bit的增速會保持，但是整體的投資量也會越來越大，這對整個存儲行業都會是一個強大的挑戰。

Dinesh Bahal先生還介紹了美光如何在競爭激烈的存儲行業保持競爭力. 美光的技術可以讓NAND製程工藝從40納米降到30納米, 再到16納米，同時美光獨創的CUA(CMOS Under Array)技術將3D技術帶到了新的高度, 同時正是有了CUA技術以後美光有了世界上最小體積的裸片， 陣列堆疊技術使美光可以採用32層+32層的方式, 堆疊出64層的3D NAND, 以更好的滿足市場需求, 同時進一步推進技術路線圖的演進。

在QLC方面, 美光推出了第一個64層QLC SSD解決方案, 業界第一款1Tb Die, 相對TLC的存儲密度提升了33%。目前美光專註於第四代的3D NAND技術, 在Die尺寸及性能上都將領先於業界, 同時得到更高的數據帶寬以及更低的能耗。

目前美光的業務已經覆蓋了13個國家, 擁有超過4萬個專利, 在中國有超過3000名員工, 在西安設立的專門的生產中心和技術中心, 有專業的工程師團隊和客戶進行日常溝通, 特別關注NAND/DRAM的行業需求, 聆聽來自客戶的聲音, 最終將這些聲音轉換為未來最具性價比, 最高效的產品和技術, 與中國客戶共同發展和成長。

CFMS將「最佳供應服務獎」 授予美光，作為重要的存儲晶元供應商，美光兼具NAND Flash和DRAM完整產品線，為全球客戶提供符合不同領域市場需求的存儲解決方案。在NAND Flash從2D向3D切換的關鍵時期，即使全球存儲市場供貨緊張，美光依然為國內眾多廠商提供較為穩定的存儲晶元供貨和客戶支持，在新一代先進技術上，助力客戶快速過渡，加快存儲產品上市和應用創新，也實現企業營收和利潤的快速增長。

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