華虹半導體第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平台成功量產

來源：內容來自華虹半導體，謝謝。

10月10日，華虹半導體有限公司（「華虹半導體」）宣布，其第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平台已成功量產，該平台具有導通電阻低、高壓種類全、光刻層數少等優勢，對於工業控制應用和DC-DC轉換器等產品是理想的工藝選擇。

第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平台40V DMOS擊穿電壓達到52V，其導通電阻低至 20 mOhm.mm2，達到該節點領先工藝水平，可提高產品的驅動能力，減小晶元面積，擴大高壓管安全工作區（Safe-Operation-Area, SOA），保證產品的高可靠性。該工藝平台最少光罩層數為18層。

該工藝平台提供豐富的可選擇器件，包括高阻、電容、Zener二極體、肖特基二極體等。此外，該平台還提供in-house設計的標準單元庫、SRAM編譯器、IO和eFuse，從而為電源管理晶元提供完善的設計解決方案。

目前，在與國內外多家客戶緊密合作下，公司已完成應用於電機驅動、快充、通訊、安防、DC-DC、LDO等多個領域晶元產品的驗證，並成功進入量產。

以綠色科技為主導，電源管理技術扮演著舉足輕重的地位。華虹半導體已引入全面的電源管理（PMIC）BCD工藝方案，在成熟的0.5微米、0.35微米、0.18微米節點上積累了豐富的量產經驗。未來，華虹半導體將繼續發揮在BCD和eNVM特色工藝上的技術優勢，提供二者的集成方案，為智能化電源產品，打造高端電源管理系統級晶元（SoC）。

華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示：「華虹半導體一直將電源管理平台視作工藝研發的重點之一，第二代0.18微米5V/40V BCD工藝量產標誌著我們在PMIC領域的核心競爭力再度提升。展望未來，我們還將持續拓展更先進的智能電源管理平台，為客戶提供差異化技術的競爭優勢。」

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