三星宣布7nm LPP工藝晶元量產：性能增加20%

IT之家10月18日消息 根據外媒AnandTech的消息，三星工廠周三表示，它已經開始使用其7LPP製造技術生產晶元，該技術使用極紫外光刻（EUVL）製作選擇層。新的製造工藝將使三星能夠顯著提高晶元的晶體管密度，同時優化其功耗。此外，EUVL的使用使三星能夠減少每個晶元所需的掩模數量並縮短其生產周期。

圖自ANANDTECH

這家半導體製造商表示，7LPP製造技術可以減少40％的面積（同樣的複雜性），同時降低50％的功耗（在相同的頻率和複雜度下）或性能提高20％（在相同的功率和複雜性下） ）。看起來，選擇層使用極紫外光刻技術使三星Foundry能夠在其下一代SoC中放置40％以上的晶體管並降低其功耗，這是移動SoC的一個非常引人注目的主張，將由其母公司使用。

三星在其位於韓國華城的Fab S3生產7LPP EUV晶元。該公司每天可以在其ASML Twinscan NXE：3400B EUVL步進掃描系統和每個280 W光源上處理1500個晶圓。三星沒有透露它是否使用薄膜來保護光掩模免於降級，但僅表明使用EUV可以將晶元所需的掩模數量減少20％。此外，該公司表示，它已經開發出專有的EUV掩模檢測工具，可以在製造周期的早期進行早期缺陷檢測並消除缺陷（這可能會對產量產生積極影響）。

三星Foundry沒有透露其首先採用其7LPP製造技術的客戶名稱，但僅暗示使用它的第一批晶元將針對移動和HPC應用。通常，三星電子是半導體部門的第一個採用其尖端製造工藝的客戶。因此，預計到2019年，三星智能手機將推出一款7nm SoC。此外，高通將採用三星的7LPP技術作為其「Snapdragon 5G移動晶元組」。

「隨著EUV工藝節點的引入，三星在半導體行業引領了一場靜悄悄的革命，」 三星電子代工銷售和營銷團隊執行副總裁Charlie Bae說。「晶圓生產方式的這種根本性轉變使我們的客戶有機會以卓越的產量，減少的層數和更高的產量顯著提高產品的上市時間。我們相信7LPP不僅是移動和HPC的最佳選擇，也適用於廣泛的尖端應用。「

三星的7LPP製造技術優於公司專為移動SoC設計的10LPP，具有令人印象深刻的優勢。同時，為了使該流程對廣泛的潛在客戶具有吸引力，該代工廠提供了一套全面的設計支持工具，介面IP（控制器和PHY），參考流程和先進的封裝解決方案。

此時，7LPP得到了眾多三星高級代工生態系統（SAFE）合作夥伴的支持，包括Ansys，Arm，Cadence，Mentor，SEMCO，Synopsys和VeriSilicon。除此之外，三星和上述公司還提供HBM2 / 2E，GDDR6，DDR5，USB 3.1，PCIe 5.0和112G SerDes等介面IP解決方案。因此，2021年及之後的SoC晶元開發商將依靠PCIe Gen 5和DDR5開始設計他們的晶元。

至於封裝，使用7LPP EUV技術製造的晶元可以與2.5D硅插入器（如果使用HBM2 / 2E存儲器）以及三星的嵌入式無源基板耦合。

如上所述，三星在其Fab S3上安裝了EUV生產工具，後者仍然擁有大量的DUV（深紫外線）設備。由於EUVL僅用於選擇7LPP晶元層，因此相對有限數量的Twinscan NXE：3400B掃描儀幾乎不成問題，但當三星的工藝技術需要EUV用於更多層時，可能需要擴展其EUV容量。

編譯自ANANDTECH

喜歡這篇文章嗎？立刻分享出去讓更多人知道吧！